[发明专利]一种提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法

权利要求书

1.一种提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：所述的方法为在半导体太阳能电池的自由电荷积累区的外侧或半导体太阳能电池上下两侧表面的外侧分别设有一个与相邻积累自由电荷绝缘的电容极板，使电容极板板面与对应的半导体太阳能电池的PN结电场垂直,使对应于半导体太阳能电池光照面的电容极板为透光电容极板，并给电容极板充电，使电容极板上自由电荷产生的电场与对应的半导体太阳能电池的PN结自建电场在相应的PN结上全部或部分重叠并且方向相同。

2.根据权利要求1所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：对应于半导体太阳能电池光照面的透光电容极板采用透明材料结构。

3.根据权利要求1所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：对应于半导体太阳能电池光照面的透光电容极板采用导电网状结构。

4.根据权利要求1所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：对应于半导体太阳能电池光照面的透光电容极板采用掺杂导电材料的透光材料。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：所述的电容极板与半导体太阳能电池相邻的积累自由电荷之间设有绝缘材料，或电容极板相对于半导体太阳能电池的外侧设有绝缘材料，或电容极板除充电接口外的所有部分都被绝缘材料绝缘，或电容极板充电接口连接充电线后被绝缘材料绝缘。

6.根据权利要求1或5所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：对应于半导体太阳能电池光照面的绝缘材料采用透光结构材料。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：所述的电容极板与半导体太阳能电池之间采用接触或非接触形式组装。

8.根据权利要求1所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：所述的电容极板应用于半导体太阳能电池组时，每个半导体太阳能电池都可以分别设有电容极板，也可以共用一个或两个电容极板，每个半导体太阳能电池PN结自建电场都与对应的电容极板板面垂直。

9.根据权利要求1或2或3或4所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法，其特征是：给电容极板充电是采用外接电源充电或采用设于电容极板之间的半导体太阳能电池或半导体太阳能电池组充电。

10.根据权利要求1所述的提高半导体太阳能电池及电池组光电效率的方法其特征是：电容极板面积大于或等于或小于半导体太阳能电池上下两侧表面的面积。