[发明专利]全红外辐射陶瓷加热器及其制作方法

权利要求书

1. 全红外辐射陶瓷加热器，包括SiC陶瓷加热芯（1），其特征在于：SiC陶瓷加热芯（1）内外表面均附着有SiO₂玻璃层（2），SiO₂玻璃层（2）的厚度为200-600μm。

2.全红外辐射陶瓷加热器的制作方法，其特征在于：包括下述步骤：

①用SiC晶体制作陶瓷加热芯；

②用功率为1-1.3KW，功率密度为35-45×10⁵W/cm³的激光束以30mm/秒的加工速度照射SiC陶瓷加热芯内外表面，使SiC陶瓷加热芯内外表面光滑、均匀一致；

③在激光清扫后的SiC陶瓷加热芯内外表面喷涂50-100μm厚的MoSi层；

④将步骤③中喷涂MoSi层的SiC陶瓷加热芯置于烘干炉中，在180-200℃的温度中烘干1.9-2.1小时，得到带有MoSi层的SiC陶瓷加热芯；

⑤将带有MoSi层的SiC陶瓷加热芯在空气中常温下通电，使SiC晶体发热至1680-1750℃，并保持通电5分钟，使SiC陶瓷加热芯内外表面的MoSi与空气中的O₂反应生成SiO₂，SiO₂生长在SiC陶瓷加热芯内外表面，形成SiO₂致密膜层，在SiC陶瓷加热芯内外表面得到SiO₂基底；

⑥将内外表面带有SiO₂基底的SiC陶瓷加热芯置入SiO₂熔炉中，SiO₂熔炉中通0.01Mpa的氖气，SiO₂熔炉中并装有1600℃的SiO₂熔融物，将带有SiO₂基底的SiC陶瓷加热芯浸入1600℃的SiO₂熔融物中，保持5分钟后取出，冷却至1460℃，使SiO₂熔炉中的SiO₂分子键聚在基底上，形成SiO₂玻璃层雏形；

⑦将1460℃的带有SiO₂玻璃层雏形的SiC陶瓷加热芯移至脱羟炉内，逐步降温至常温，在SiC陶瓷加热芯内外表面上得到厚度为200-600μm的SiO₂玻璃层。

3.根据权利要求2所述的全红外辐射陶瓷加热器的制作方法，其特征在于：在步骤③喷涂MoSi料粉前在SiC陶瓷加热芯连接电极的位置安装耐高温陶瓷套管。