[发明专利]磁存储元件的场辅助切换

权利要求书

1.一种方法，包括：

施加通过磁存储元件的写入电流以发起所述元件至期望磁状态的磁旋进；以及

随后在所述写入电流的继续施加期间毗邻所述磁存储元件发起场辅助电流的流动以在所述元件上感生磁场，所述场辅助电流在所述写入电流被终止之后仍持续以提供至所述期望磁状态的场辅助旋进。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场辅助电流沿导体流动，所述导体关于所述磁存储元件毗邻且非接触地延伸。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁存储元件包括耦合至切换器件的磁性隧穿结(MTJ)，并且所述磁场穿过所述MTJ的具有可选磁取向的自由层以促成所述自由层至所述期望状态的旋进切换。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述施加步骤包括使所述写入电流从第一控制线通过所述磁存储元件至第二控制线，所述第一控制线和所述第二控制线各自连接至所述磁存储元件，并且所述随后发起步骤包括建立所述场辅助电流通过第三控制线的流动，所述第三控制线关于所述存储元件和所述第一和第二控制线毗邻且非接触地延伸。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场辅助电流是以关于所述磁存储元件的自由层的易磁化轴呈非正交角的方式流动的。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场辅助电流在关于所述写入电流通过所述存储元件的方向来选择的方向上沿毗邻所述存储元件的导体传递。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场辅助电流具有选定频率的相对较高的频率分量以在所述选定频率下生成相应的时变安培场。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储元件被表征为具有基准层和自由层的自旋转移矩随机存取存储器(STRAM)存储单元，所述自由层通过隧穿势垒层与所述基准层分开，所述基准层具有固定的磁取向，并且所述自由层具有能在关于所述基准层的取向平行的取向与反平行的取向之间切换的可变磁取向。

9.一种装置，包括：

磁存储元件，其能够响应于对所述存储元件施加写入电流而被编程到期望磁状态；以及

辅助层，其与所述磁存储元件非接触且邻接地延伸，所述辅助层被适配成在所述写入电流的继续施加期间发起场辅助电流的流动以在所述元件上感生磁场，所述场辅助电流在所述写入电流被终止之后仍持续以提供至所述期望磁状态的场辅助旋进。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括电流驱动器，所述电流驱动器被适配成响应于所述写入电流的流动方向使所述场辅助电流在选定方向上沿所述辅助层流动。

11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述辅助层包括导体，所述导体关于所述磁存储元件毗邻且非接触地延伸。

12.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述磁存储元件包括耦合至切换器件的磁性隧穿结(MTJ)，并且所述磁场穿过所述MTJ的具有可选磁取向的自由层以促成所述自由层至所述期望状态的旋进切换。

13.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述施加步骤包括使所述写入电流从第一控制线通过所述磁存储元件至第二控制线，所述第一控制线和所述第二控制线各自连接至所述磁存储元件，并且所述随后发起步骤包括建立所述场辅助电流通过第三控制线的流动，所述第三控制线关于所述存储元件和所述第一和第二控制线毗邻且非接触地延伸。

14.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述场辅助电流是以关于所述磁存储元件的自由层的易磁化轴呈非正交角的方式流动的。

15.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述场辅助电流在关于所述写入电流通过所述存储元件的方向来选择的方向上沿毗邻所述存储元件的导体传递。

16.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述场辅助电流具有选定频率的相对较高的频率分量以在所述选定频率下生成相应的时变安培场。