[发明专利]积层薄膜电容的制造设备

说明书

技术领域

本发明是有关积层薄膜电容制造设备的发明，是将形成电极图像的金属电极和电层通过多个真空蒸镀过程进行积层化的积层薄膜电容制造设备有关的发明。

背景技术

通常情况下MLCC(积层陶瓷电容、Multi-Layer Ceramic Capacitor)是通过修墨刀(Doctor Blade)方式的湿式方法将生成的电介质薄片和通过列印方式形成在表面的列印内部电极图像的薄膜进行积压，再通过高温烧结进行制造。在这里说明的修磨方式是指以均匀的厚度涂抹粘合剂的方式，是利用磨刀细致的将液体物质涂抹的方式。

MLCC是由积层的金属镀金膜制作的电容器，是能暂时存储电能的部品。即，利用交流电可以通过直流电不能通过的特点，在移动通讯设备、数码AV设备、电脑等的电子仪器中以DC-blocking、By-passing、连接器等多种用途被使用的电子部品。

通常情况下MLCC的制造过程是从制造根据一般陶瓷制造工程制成的粉末(Powder)开始的。此时，粉末是将含有一定可调整性的基础原料与蒸馏水进行混合后，在特定温度下经过一定时间的煅烧(calcination)过程而形成。而且，为了提高成型性，粉末(powder)中会添加PVA等binder，形成浆(slurry)状态后，利用修墨(doctor blade casting)方式，铸造为陶瓷生片(ceramic green sheet)状态。之后Ag、Pd、Pt等符合条件的内部电极(internal electrode)将会被丝印(screen-painting)在薄片上面。而且，生片(green sheet)会被积层并切割为芯片(chip)状态。

之后，芯片上升至一定温度(约400～500℃)时粘结剂(binder)被烧掉(burn out)，重新利用一定的高温进行烧结后，最终外部电极粘贴在两面而形成MLCC。

通过传统制造方式制造的MLCC是把列印电极图像的陶瓷材质生片的电介质薄片积层化成多层，与多个电容器并列连接有着相同的构造。此时，通过修墨刀方式把电介质薄片积层化成积层构造的烧结过程会发生许多问题，具有很难得到一定厚度电层的缺点。

而且，利用此方法制作的MLCC，根据目前电子仪器的轻便型、大容量化，积层陶瓷电容的容量是呈现增加的趋势。这时积层陶瓷电容的微型化中不可避免被积层的积层薄片的更细密的薄膜化和积层化。根据高容量MLCC制造而进行的电介质薄片的薄膜化及积层化及积层化过程中将会发生如下问题。

首先，积层列印内部电极的电介质薄片形成MLCC时，电介质薄片中列印内部电极的部分和没有被列印内部电极的部分会形成厚度差异。积层多个电介质薄片时这样的厚度差异会更加明显的显示出来。

在此，积压积层的电介质薄片是由拥有压缩一定厚度功能的压缩设备来完成的。此时列印内部电极的部分因内部电极的厚度形成的厚度相比没有被列印内部电极的部分要高。

即使压缩积层的电介质薄片时，列印内部电极的部分也会因内部电极的厚度而形成突出的形态。MLCC形态中突出的形态在MLCC安装在电子仪器时，会成为传输不良的主要原因。根据修墨刀(Doctor Blade)方式铸造形态(Tape casting)时，有会加剧厚度差异、积层以后烧结的过程中也会发生破裂(crack)，使内部电极有缺陷等问题。

通常使用的蒸镀系统是使用物理蒸镀(PVD)或化学蒸镀(CVD)中任意一种的系统，根据本发明的系统具备功能室的结构相互复合而又相互独立的构成，因此蒸镀完成后可利用转换室100的返回机械臂110进行晶片的功能室间的传送。

而且，依据上述制造方式的积层电容制造设备与半导体制造设备相同。与此相同的传统的制造设备是把形成电介质层的PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)设备和为形成电极膜而使用的溅镀设备一体化，局限于薄膜晶体管(thin film transistor)制造方法。

传统的制造设备只能在一个功能室中采用一种方法形成薄膜，形成薄膜后解除真空状态，再重新传入晶片，因此对晶片的薄膜可能存在氧化或异物侵入的影响。

发明内容

【要解决的课题】

本发明是为了解决传统技术的问题点而提案的，消除对内部电极膜的厚度段差，从而提供均匀改善积层面的积层薄膜电容的制造设备的发明。

而且本发明不需要高温下的烧结过程，还提供最小化作业以后压缩烧制工程中发生的陶瓷板材的缺陷的积层薄膜电容的制造设备。