[发明专利]一种电致发光器件

权利要求书

1.一种电致发光器件，是一种发光二极管，包含1)一发光层(EML),其中至少包含一种无机半导体纳米发光晶体和一种无机基质材料,其特征在于a)所述的无机半导体纳米发光晶体包裹有有机配体，b)所述的无机基质材料其能带带隙大于所述的无机半导体发光晶体；2)布置于发光层一侧的阳电极；3)布置于发光层另一侧的阴电极；其中，发光层(EML)的厚度不超过1000nm。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述的无机半导体纳米发光晶体选自具有单分布的胶体量子点或纳米棒。

3.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述的无机半导体纳米发光晶体包含有半导体材料，选自CdSe,CdS,CdTe,ZnO,ZnSe,ZnS,ZnTe,HgS,HgSe,HgTe,CdZnSe,InAs,InP,InN,GaN,InSb,InAsP,InGaAs,GaAs,GaP,GaSb,AlP,AlN,AlAs,AlSb,CdSeTe,ZnCdSe,PbSe,PbTe,PbS,PbSnTe,Tl₂SnTe₅及它们的任何组合。

4.根据权利要求1所述的电致发光器件,其中所述的无机半导体纳米发光晶体是包含有两种不同的半导体的异质结构，其特征在于所述异质结构是至少有一个外壳的核/壳(Core/Shell)结构。

5.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述的无机基质包含有半导体材料选自II-VI族,III-V族,IV-VI族,III-VI族,IV族，它们的合金和/或组合,并优先选自ZnO,ZnS,ZnSe,ZnTe,GaN,GaP,Ga₂O₃,AlN,CdSe,CdS,CdTe,CdZnSe及它们的任何合金和/或组合。

6.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：在正电极和发光层之间还有至少另外一层,它包含有一p-型无机半导体材料或有机材料,它的功能是空穴注入层(HIL)或是空穴传输层(HTL)或是电子阻挡层(EBL)，或是它们的各种组合。

7.根据权利要求6所述的电致发光器件，其所述的至少另外一层包含有一无机p-型半导体材料,它选自NiO_x,Wo_x,MoO_x,RuO_x,VO_x及它们的任何组合。

8.根据权利要求6所述的电致发光器件，其所述的至少另外一层包含有一有机材料材料,它选自胺(amine),联苯类三芳胺(triarylamine),噻吩(thiophene),并噻吩(fused thiophene)如二噻吩并噻吩(dithienothiophene)和并噻吩(dibenzothiphene),吡咯(pyrrole),苯胺(aniline),咔唑(carbazole),氮茚并氮芴(indolocarbazole),酞菁(phthlocyanine),卟啉(porphyrine)及它们的衍生物。

9.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：在阴电极及和发光层之间还有至少另外一层,它包含有一n-型无机半导体材料或有机材料,它的功能是电子注入层(EIL)或是电子传输层(ETL)或是空穴阻挡层(HBL)，或是它们的各种组合。

10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其所述的至少另外一层包含有一无机n-型半导体材料,它选自ZnO,ZnS,ZnSe,TiO₂,ZnTe,GaN,GaP,AlN,CdSe,CdS,CdTe,CdZnSe及它们的任何合金和/或组合。