[发明专利]一种制备超细线条的方法

权利要求书

1.一种制备超细线条的方法，包括以下步骤：

a)在硅衬底上沉积氮化硅薄膜；

b)在氮化硅薄膜上涂光刻胶；

c)光刻定义出将要作为硅线条掩膜图形的区域；

d)刻蚀氮化硅，最终将光刻胶上的图形转移到氮化硅薄膜材料上；

e)去掉光刻胶；

f)各向异性干法刻蚀硅；

g)对线条进行湿氧氧化，将硅线条尺寸进行氧化减薄；

h)热浓磷酸腐蚀氮化硅；

i)对线条进行干氧氧化，将硅线条氧断，使其悬空；

j)湿法腐蚀氧化硅至全片脱水，最终得到宽度较细的细线条。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，淀积氮化硅采用低压化学气相沉积法。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，定义光刻胶采用的是普通光学光刻。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀氮化硅和衬底材料采用的是异性干法刻蚀技术。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，湿法腐蚀氮化硅采用浓磷酸的温度大于170℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，湿法腐蚀氧化层采用氟化氢溶液，其中氢氟酸∶水的体积比为1∶10。