[发明专利]硅片料盒以及硅片上料装置有效
| 申请号: | 201110335551.X | 申请日: | 2011-10-28 |
| 公开(公告)号: | CN102364668A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
| 发明(设计)人: | 郑书友;胡永伟;张连生 | 申请(专利权)人: | 北京太阳能电力研究院有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘奕晴 |
| 地址: | 101102 北京市通*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 以及 装置 | ||
1.一种硅片上料装置,其特征在于,所述硅片上料装置包括承载硅片的 硅片料盒、气刀和供气装置,所述气刀安装在硅片料盒的相对的侧部上,气 刀内部具有孔型通道,孔型通道的上端具有面向硅片的气体排放口,气刀下 端与供气装置连通,供气装置为气刀供应气体,气体通过气刀上端的气体排 放口吹出,以使硅片料盒内叠置的硅片分离。
2.如权利要求1所述的硅片上料装置,其特征在于,用于安装气刀的气 刀安装孔对称地设置在硅片料盒的料盒底板的四个侧边处。
3.如权利要求2所述的硅片上料装置,其特征在于,用于安装气刀的气 刀安装孔对称地设置在硅片料盒的料盒底板的相对的一对侧边上,硅片料盒 的料盒底板的相对的另一对侧边上安装有侧部挡板。
4.如权利要求2所述的硅片上料装置,其特征在于,所述料盒底板内部 具有气体通道,用于安装气刀的气刀安装孔设置在料盒底板的侧边的上部, 气刀安装孔使气刀内部的孔型通道与料盒底板内部的气体通道连通。
5.如权利要求4所述的硅片上料装置,其特征在于,料盒底板上设置有 使料盒底板内部的气体通道与供气装置连通的进气孔。
6.如权利要求5所述的硅片上料装置,其特征在于,进气孔设置在料盒 底板的侧边的下部并与气刀安装孔中的至少一个气刀安装孔对应。
7.如权利要求1-4中的任一项权利要求所述的硅片上料装置,其特征在 于,所述硅片上料装置还包括输送系统,用于将承载硅片的硅片料盒输送到 指定位置。
8.如权利要求2-4中的任一项权利要求所述的硅片上料装置,其特征在 于,所述硅片上料装置还包括顶升机构,硅片料盒包括可上下移动地设置在 料盒底板上方用于承载硅片的硅片托板,所述顶升机构设置在硅片料盒下部, 以控制硅片托板的升降。
9.如权利要求8所述的硅片上料装置,其特征在于,料盒底板上设置有 通孔,所述顶升机构穿过所述通孔顶升所述硅片托板。
10.一种硅片料盒,其特征在于,所述硅片料盒包括料盒底板和硅片托 板,硅片托板可上下移动地设置在料盒底板上方,用于承载硅片,料盒底板 的内部具有气体通道,料盒底板的相对的侧部具有安装气刀的气刀安装孔, 气刀安装孔与料盒底板的内部的气体通道连通。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





