[发明专利]金属互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201110335250.7 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102339789A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种金属互连结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属互连线，所述金属互连线分为目标金属互连线和非目标金属互连线，相邻目标金属互连线之间沟槽的高宽比大于相邻目标金属互连线与非目标金属互连线之间沟槽的高宽比；
形成覆盖所述金属互连线和半导体衬底的介质层，所述目标金属互连线之间的介质层中形成有闭合空洞，所述闭合空洞的顶端高于目标金属互连线的顶端；
刻蚀介质层至露出目标金属互连线的表面，形成通孔，刻蚀过程中将闭合空洞侧壁刻穿使相邻通孔之间贯通；
在所述通孔和闭合空洞内填充满金属，形成目标金属互连线间的互连结构。
2.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述通孔的方法为等离子体刻蚀工艺。
3.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述相邻目标金属互连线之间沟槽高宽比大于0.5。
4.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述空洞的顶端与目标金属线顶端表面的垂直距离为100～50000埃。
5.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的形成方法为等离子体增强化学气相沉积工艺。
6.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述通孔和空洞内填充满金属的方法为溅射工艺。
7.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述通孔和空洞内填充满的金属材料为钨。
8.如权利要求1所述的金属互连结构的形成方法，其特征在于，所述金属互连线的材料为铝，铜或钨。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
