[发明专利]一种MOS器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种MOS器件，包括

半导体衬底；

形成在半导体衬底中的沟道；

形成在沟道上的栅堆叠以及围绕所述栅堆叠的侧墙；以及

形成在侧墙两侧的衬底中的源/漏极；

其中所述栅堆叠由绝缘层和其上的多层金属栅构成，所述多层金属栅由用于向所述沟道引入应力的应变金属层、用于调节金属栅的功函数的功函数调节层构成，所述功函数调节层从底部与侧面围绕应变金属层。

2. 如权利要求1所述的MOS器件，还包括在所述功函数调节层和所述应变金属层之间形成的阻挡层。

3. 如权利要求1或2所述的MOS器件，其中在所述MOS器件为NMOS的情况下，所述功函数调节层的材料的功函数接近导带底；在所述MOS器件为PMOS的情况下，所述功函数调节层的材料的功函数接近价带顶。

4. 如权利要求3所述的MOS器件，其中所述功函数调节层的材料从如下组中选择：

（1）化合物M_x1N_y1、M_x2Si_y2N_z1、M_x3Al_y3N_z2或M_aAl_x3Si_y3N_z2；

（2）化合物M_x1N_y1、M_x2Si_y2N_z1、M_x3Al_y3N_z2或M_aAl_x3Si_y3N_z2和金属Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er或La的复合层；或者

（3）掺杂有金属Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er或La的化合物M_x1N_y1、M_x2Si_y2N_z1、M_x3Al_y3N_z2或M_aAl_x3Si_y3N_z2，

其中，“M”代表Ta、Ti、Hf、Zr、Mo 或 W，a、x1-x3、y1-y3和z1-z2是对应元素在化合物中的原子个数。

5. 如权利要求1或2所述的MOS器件，其中在所述MOS器件为NMOS的情况下，所述应变金属层的本征应力为压应力，且大于3Gpa；在所述MOS器件为PMOS的情况下，所述应变金属层的本征应力为张应力，且大于3Gpa。