[发明专利]浅沟槽隔离的制作方法无效
| 申请号： | 201110328075.9 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102354679A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 制作方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离的制作方法，包括以下步骤：
在硅片上依次沉积衬垫氧化层、衬垫氮化层、氧化物硬模和氮化物硬膜；
刻蚀氮化物硬膜形成用于后续制作浅沟槽的刻蚀窗口；
刻蚀所述刻蚀窗口内的氧化物硬模、衬垫氮化层、衬垫氧化层和部分硅片形成浅沟槽；
对氮化物硬膜、氧化物硬模和衬垫氮化层进行腐蚀，去除氮化物硬膜和氧化物硬模，缩小衬垫氮化层的轮廓；
在上述结构表面沉积一层氧化膜；
在浅沟槽内填充绝缘介质，形成绝缘介质层，再化学机械研磨绝缘介质层和氧化膜，停留在衬垫氮化层上；
去除衬垫氮化层和衬垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述刻蚀氮化物硬膜形成用于后续制作浅沟槽的刻蚀窗口的步骤包括以下步骤：
在氮化物硬膜上涂覆光刻胶，光刻形成光刻窗口；
刻蚀光刻窗口内的氮化物硬膜形成用于后续制作浅沟槽的刻蚀窗口。
3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述去除衬垫氮化层和衬垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构步骤中采用热磷酸去除衬垫氮化层和衬垫氧化层。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述衬垫氧化层的厚度为50-60埃。
5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述衬垫氮化层的厚度为500-700埃。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述氧化物硬模的厚度为50-100埃。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离的制作方法，其特征在于：所述氮化物硬膜的厚度为150-400埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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