[发明专利]非易失性存储器架构

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

第一存储器单元，包括第一开关；

第二存储器单元，包括第二开关；

导体，耦合到所述第一开关和到所述第二开关并且配置成切换所述第一开关和所述第二开关；以及

晶体管，在所述晶体管的源极或者漏极之一处耦合到所述第一存储器单元而在所述晶体管的源极或者漏极中的另一个处耦合到所述第二存储器单元，所述晶体管的栅极耦合到所述导体。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一开关、所述第二开关和所述晶体管中的至少一个为金属氧化物半导体（MOS）器件。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的至少一个存储器单元包括非易失性存储器（NVM）偶极器件。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述晶体管被配置成将所述第一存储器单元与所述第二存储器单元电隔离。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元共享共同电源线。

6.根据权利要求1所述的电子设备，还包括能操作用于选择所述第一存储器单元的第一位线和/或能操作用于选择所述第二存储器单元的第二位线。

7.一种存储器设备，包括：

多对存储器单元，每个存储器单元包括开关；

导体，耦合到所述多对存储器单元中的至少第一组的每个存储器单元并且配置成切换所述至少第一组的每个存储器单元的每个开关；以及

晶体管，耦合到每对存储器单元，所述晶体管耦合到每对的每个存储器单元。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述晶体管的栅极耦合到所述导体。

9.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述多对存储器单元共享共同电源线。

10.根据权利要求7所述的存储器设备，还包括：

所述多对存储器单元中的第二组；以及

第二晶体管，配置成将所述第一组中的第一存储器单元耦合到所述第二组中的第二存储器单元，所述第二晶体管被配置成将所述第一存储器单元与所述第二存储器单元电隔离。

11.根据权利要求10所述的存储器设备，其中所述第二晶体管的栅极耦合到所述导体。

12.根据权利要求10所述的存储器设备，还包括：第三晶体管，配置成将所述第一组中的第三存储器单元耦合到所述第二组中的第四存储器单元，所述第三晶体管被配置成将所述第三存储器单元与所述第四存储器单元电隔离。

13.根据权利要求12所述的存储器设备，其中所述第三晶体管的栅极耦合到所述导体。

14.根据权利要求10所述的存储器设备，还包括能操作用于选择所述第一存储器单元的第一位线和能操作用于选择所述第二存储器单元的第二位线中的至少一个。

15.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述第二位线能配置成关于存在于所述第一位线处的电压浮动。

16.根据权利要求14所述的存储器设备，其中所述第一位线和所述第二位线中的至少一个能配置成关于电源线被偏置以提供对所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的至少一个的双向写入能力。

17.一种装置，包括：

第一对存储器单元，所述第一对存储器单元的每个存储器单元包括开关；

第一导体，耦合到所述第一对存储器单元的每个开关，所述第一导体被配置成切换所述第一对存储器单元的每个开关；

第一晶体管，耦合到所述第一对存储器单元，所述第一晶体管到所述第一对中的每个存储器单元，所述第一晶体管的栅极耦合到所述第一导体；

第二对存储器单元，所述第二对存储器单元的每个存储器单元包括开关；

第二导体，耦合到所述第二对存储器单元的每个开关，所述第二导体被配置成切换所述第二对存储器单元的每个开关；以及

第二晶体管，耦合到所述第二对存储器单元，所述第二晶体管到所述第二对中的每个存储器单元，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第二导体。