[发明专利]基于低压检测功能的复位电路无效
| 申请号: | 201110310571.1 | 申请日: | 2011-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN102394612A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
| 发明(设计)人: | 张俊;胡建国;王德明;丁一;谭洪舟 | 申请(专利权)人: | 广州中大数码科技有限公司 |
| 主分类号: | H03K17/22 | 分类号: | H03K17/22;G01R19/00 |
| 代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 44259 | 代理人: | 李俊康 |
| 地址: | 511400 广东省广州市番禺区东环街迎*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 低压 检测 功能 复位 电路 | ||
1.一种基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,它包括:
用于形成复位电路产生复位信号所需的门限电压值,并根据门限电压值界定电源VDD电压上电或掉电过程中复位电路的工作状态的电压检测模块;
用于在复位电路非正常工作时输出低电平作为复位信号,以及在复位电路正常工作时输出高电平的复位输出模块;
用于在复位电路非正常工作时输出低电平作为存储器锁使能信号,以及在复位电路正常工作时输出高电平作为存储器使能信号的电压放大模块。
2.根据权利要求1所述的基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,它还包括对复位输出模块的输出电压进行整形的电压整形A模块。
3.根据权利要求2所述的基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,它还包括对电压放大模块的输出电压进行整形的电压整形B模块。
4.根据权利要求3所述的基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,所述电压检测模块由电阻R11、电阻R12、PMOS 111、PMOS 112、PMOS 16、PMOS 17、PMOS 18、PMOS 19、NMOS 113、NMOS 13、NMOS14和NMOS 15组成,其中,电阻R11阻值大于电阻R12的阻值,电阻R11一端接电源VDD,电阻R11另一端通过结点b1与电阻R12一端串联,电阻R12另一端通过结点b2连接NMOS 13的漏极和栅极,NMOS13的源极接地,PMOS 18的漏极接电源,PMOS 18的源极与PMOS 16的漏极相连,PMOS 18的栅极与PMOS 16和NMOS 14的栅极相连并连接到结点b1,PMOS 16的漏极通过结点N1与NMOS 14的漏极相连,NMOS14的源极接地,PMOS 19的漏极接电源,PMOS 19的源极与PMOS 17的漏极相连,PMOS 19的栅极与PMOS 17和NMOS 15的栅极相连并连接到结点b2,PMOS 17的漏极通过结点N2与NMOS 15的漏极相连,NMOS 15的源极接地,PMOS 111的漏极接电源,PMOS 111的源极与PMOS 112的漏极相连,PMOS 111的栅极与PMOS 112和NMOS 113的栅极相连并连接到结点b1,PMOS 112的漏极通过结点N3与NMOS 113的漏极相连,NMOS 113的源极接地。
5.根据权利要求4所述的基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,所述复位输出模块由PMOS 24、PMOS 25、PMOS 26、NMOS 21、NMOS 22和NMOS 23组成,PMOS 24的源极接电源,PMOS 24的栅极与NMOS 21的栅极相连并连接到结点N1,PMOS 24的漏极通过结点up与NMOS 21的漏极相连,NMOS 21的源极接地,PMOS 25的源极接电源,PMOS 25的源极栅极与NMOS 22的栅极相连并连接到结点N2,PMOS 25的源极漏极通过结点down与NMOS 22的漏极相连,NMOS 22的源极接地,PMOS 26的源极接电源,PMOS 26的栅极连接到结点up,PMOS 26的漏极通过结点N4与NMOS 23的漏极相连,NMOS 23的栅极连接到结点down,NMOS 23的源极接地。
6.根据权利要求5所述的基于低压检测功能的复位电路,其特征在于,所述电压放大模块由PMOS 44、PMOS45、PMOS46、NMOS 41、NMOS 42和NMOS 43组成,PMOS 44的源极接电源,PMOS 44的栅极与NMOS 41的栅极相连并连接到结点N3,PMOS 44的漏极通过结点N8与NMOS 41的漏极相连,NMOS 41的源极接地,PMOS 45的源极接电源,PMOS 45的栅极与NMOS 42的栅极相连并连接到结点N8,PMOS 45的漏极通过结点N6与NMOS 42的漏极相连,NMOS 42的源极接地,PMOS 46的源极接电源,,PMOS 46的栅极与NMOS 43的栅极相连并连接到结点N6,,PMOS 46的漏极通过结点N8与NMOS 43的漏极相连,NMOS 43的源极接地。
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