[发明专利]一种Cu2O纳米笋结构的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110309144.1 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102442834A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 石慧;郁可;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Cu2O纳米笋结构的半导体材料，其特征在于，包括硅片和沉积在所述硅片上的Cu2O纳米笋结构晶体。
2.如权利要求1所述Cu2O纳米笋结构的半导体材料，其特征在于，所述Cu2O纳米笋结构晶体包括纳米棒和从所述纳米棒内衍生出来的周期性层状分支Cu2O晶体。
3.如权利要求2所述Cu2O纳米笋结构的半导体材料，其特征在于，所述Cu2O纳米笋结构晶体沿着一维轴向的直径大小为500~700 nm，所述周期性层状分支Cu2O晶体长度为15～20μm。
4.一种如权利要求1-3中任意一项权利要求所述Cu2O纳米笋结构的半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：
步骤a、将无水乙醇和水混合作为溶剂，加入Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯，搅拌均匀得到待反应液；
步骤b、将硅片水平放置在反应容器底部，缓缓加入所述待反应液；
步骤c、将所述反应容器密封，于160-190℃下进行反应；
步骤d、取出硅片，于60-70℃下烘干，得到所述Cu2O纳米笋结构的半导体材料。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a中无水乙醇和水的比例为1：2-2：7，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯的加入量摩尔比为1:3-1:4；其中， Cu(CH3COO)2·H2O粉末的加入量为25±2.5mM/100mL溶剂。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯均为分析纯。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述反应容器为100mL容量的特氟龙反应釜。
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