[发明专利]图像传感器中的光侦测器隔离

权利要求书

1.一种包含具有多个像素的成像区域的图像传感器，其中至少一个像素包含：

光侦测器，其包括安置于具有第二导电类型的层中的具有第一导电类型的储存区；

第一浅渠沟隔离区，其安置于实施具有第二导电类型的层中、横向地邻近于所述储存区，其中所述第一浅渠沟隔离区包含形成于所述具有第二导电类型的层中的用介电材料填充的渠沟；及

具有所述第二导电类型的隔离层，其仅部分地沿着所述渠沟的底部且仅沿着所述渠沟的紧邻于所述储存区的侧壁安置。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包含安置于所述具有第二导电类型的层中的具有所述第一导电类型的电荷转电压转换区，及安置于所述储存区与所述电荷转电压转换区的间的转移栅极。

3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包含安置于所述具有第二导电类型的层中的、横向地邻近于所述电荷转电压转换区的第二浅渠沟隔离区，其中所述第二浅渠沟隔离区包含形成于所述具有第二导电类型的层中的用介电材料填充的渠沟，且其中具有所述第二导电类型的隔离层不沿着该渠沟的侧壁及底部安置。

4.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，还包含具有所述第二导电类型的井，所述井安置于所述具有第二导电类型的层中、横向地邻近于所述电荷转电压转换区。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包含具有所述第二导电类型的钉扎层，所述钉扎层安置于所述储存区上方且连接至仅沿着所述渠沟的紧邻于所述储存区的侧壁安置的所述隔离层。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述图像传感器安置于图像捕捉装置中。

7.一种包含具有多个像素的成像区域的图像传感器，其中至少一个像素包含：

光侦测器，其包括安置于具有第二导电类型的层中的具有第一导电类型的储存区；

具有所述第一导电类型的电荷转电压转换区，其安置于所述具有第二导电类型的层中；

转移栅极，其安置于所述光侦测器与所述电荷转电压转换区之间；

第一浅渠沟隔离区，其安置于所述具有第二导电类型的层中、横向地邻近于所述储存区，其中所述第一浅渠沟隔离区包含形成于所述具有第二导电类型的层中的用介电材料填充的渠沟；

具有所述第二导电类型的隔离层，其仅部分地沿着所述渠沟的底部且仅沿着所述渠沟的紧邻于所述储存区的侧壁安置；及

第二浅渠沟隔离区，其安置于所述具有第二导电类型的层中、横向地邻近于所述电荷转电压转换区，其中所述第二浅渠沟隔离区包含形成于所述具有第二导电类型的层中的用介电材料填充的渠沟，且具有所述第二导电类型的隔离层不沿着该渠沟的底部及侧壁安置。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，还包含具有所述第二导电类型的钉扎层，所述钉扎层安置于所述储存区上方且连接至仅沿着所述渠沟的紧邻于所述储存区的侧壁安置的所述隔离层。