[发明专利]高压LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型限制层、外延层和P型接触电极层；

制作至少一个贯穿P型接触电极层、外延层、N型限制层的隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，每个区域对应一个LED，在每个所述区域内制作一个与隔离沟槽相连通的N型接触电极台阶，所述N型接触电极台阶贯穿P型接触电极层、外延层；

在上述器件结构表面沉积隔离介质层；

通过光刻、蚀刻工艺去除与每个隔离沟槽紧邻的部分隔离介质层，分别暴露出部分P型接触电极层112和部分N型限制层104，在所暴露出的部分P型接触电极层、部分N型限制层和隔离沟槽内及隔离沟槽表面上沉积金属，一次制作出N电极、P电极和用于连接相邻LED的电极的互联金属层，形成互联的多个LED。

2.根据权利要求1所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：在所述衬底上形成N型限制层之前，还包括：在所述衬底上形成氮化物缓冲层。

3.根据权利要求1所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述外延层包括依次形成于所述N型限制层上的多量子阱有源层和P型限制层。

4.根据权利要求3所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：在所述N型限制层上形成所述外延层的步骤中，在形成P型限制层之前，还包括：沉积P型氮化物层。

5.根据权利要求1所述的高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述隔离沟槽的侧边与紧邻的每个所述区域内的衬底表面的倾角小于90度。

6.根据权利要求1所述的高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述N型通孔贯穿反射层、外延层并延伸到部分N型限制层中。

7.根据权利要求1所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述N电极、P电极和互联金属层所使用的导电材料相同。

8.根据权利要求7所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述N电极、P电极和互联金属层的材料为镍金合金。

9.根据权利要求7所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：所述N电极、P电极和互联金属层的材料为铬金合金。

10.根据权利要求1所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：通过互联金属层将各LED的N电极和P电极按序依次串联和/或并联，形成互联的多个LED。

11.根据权利要求1所述高压LED器件的制造方法，其特征在于，还包括：对所述互联的多个LED进行测试，并根据测试结果选择性的对所述互联的多个LED进行激光划片，以将互联的多个LED分组切割成至少一个LED模块。

12.根据权利要求11所述高压LED器件的制造方法，其特征在于，还包括：对所述LED模块进行封装，所述LED模块通过引线进行串联和/或并联，形成高压LED器件。

13.根据权利要求11所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：对所述多个LED进行测试之前，还包括：减薄所述衬底。

14.根据权利要求12所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：采用板上晶片直装对所述LED模块进行封装。

15.根据权利要求12所述高压LED器件的制造方法，其特征在于：形成高压LED器件之后，还包括：在所述高压LED器件上涂覆荧光粉硅胶。

16.一种利用权利要求1所述的高压LED器件的制造方法形成的高压LED器件，包括：

至少一个LED模块，每个LED模块包括至少两个LED，其中，每个LED具有N电极和P电极，各LED通过互联金属层将相邻LED的相应电极进行串联和/或并联；以及

一基板支架，所述基板支架表面设置有基板电极，所述基板电极与所述LED模块中的相应电极通过引线键合。