[发明专利]衬底处理设备和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种衬底处理设备，包括：

处理室，其被配置为处理衬底；

衬底支撑部件，其被设置在所述处理室内以支撑所述衬底，所 述衬底支撑部件包括所述衬底被支撑在其上面的衬底支撑引脚和在所 述衬底支撑引脚下面提供的衬底支撑基座；

微波发生器，其被设置在所述处理室外面；

波导发射端口，其被配置为将由所述微波发生器产生的微波供 应到所述处理室中，其中所述波导发射端口的中心位置偏离被支撑 在所述衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且所述波导发射端口 面对被支撑在所述衬底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及

控制单元，其被配置为在所述衬底被支撑在所述衬底支撑引脚上 时沿水平方向相对于所述波导发射端口改变所述衬底支撑部件的相 对位置，

其中所述衬底支撑基座是导电基座，以及

其中所述衬底支撑引脚的顶部与导电基座之间的距离对应于在 处理所述衬底时供应的微波的1/4波长的奇数倍。

2.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述衬底支撑部件绕着 所述衬底支撑部件的旋转轴水平地旋转，并且所述波导发射端口被固定 在偏离所述衬底支撑部件的旋转轴的位置处。

3.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述波导发射端口与被 支撑在所述衬底支撑部件上的衬底之间的距离短于供应微波的波长。

4.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述波导发射端口与被 支撑在所述衬底支撑部件上的衬底之间的距离对应于从所述波导发射 端口供应的微波的1/4波长的奇数倍。

5.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述导电基座是包括冷 却剂通道的金属基座。

6.根据权利要求1的衬底处理设备，其中所述控制单元控制微 波发生器在开始所述衬底支撑部件的沿水平方向相对于所述波导发 射端口的相对位置变化之后向所述处理室中供应微波。

7.一种衬底处理设备，包括：

处理室，其被配置为处理衬底；

衬底支撑部件，其被设置在所述处理室内以支撑所述衬底，所 述衬底支撑部件包括所述衬底被支撑在其上面的衬底支撑引脚和在所 述衬底支撑引脚下面提供的衬底支撑基座；

微波发生器，其被设置在所述处理室外面；

波导发射端口，其被配置为将由所述微波发生器产生的微波供 应到所述处理室中，其中所述波导发射端口的中心位置偏离被支撑 在所述衬底支撑部件上的衬底的中心位置，并且所述波导发射端口 面对被支撑衬底的前表面的一部分；以及

控制单元，其被配置为在所述衬底被支撑在所述衬底支撑引脚上 时改变所述波导发射端口沿水平方向相对于被支撑衬底的相对位 置，使得所述波导发射端口间歇地面对被支撑衬底的前表面的所述 部分，

其中所述衬底支撑基座是导电基座，以及

其中所述衬底支撑引脚的顶部与导电基座之间的距离对应于在 处理所述衬底时供应的微波的1/4波长的奇数倍。

8.一种使用衬底处理设备来制造半导体器件的方法，所述衬底 处理设备包括处理室，其被配置为处理衬底；衬底支撑部件，其被 设置在所述处理室内以支撑衬底，所述衬底支撑部件包括所述衬底被 支撑在其上面的衬底支撑引脚和在所述衬底支撑引脚下面提供的衬底 支撑基座；微波发生器，其被设置在所述处理室外面；波导发射端口， 其被配置为将由所述微波发生器产生的微波供应到所述处理室中， 其中所述波导发射端口的中心位置偏离被支撑在所述衬底支撑部件 上的衬底的中心位置，并且所述波导发射端口面对被支撑在所述衬 底支撑部件上的衬底的前表面的一部分；以及控制单元，其被配置 为在所述衬底被支撑在所述衬底支撑引脚上时使所述衬底支撑部件沿 水平方向相对于所述波导发射端口相对旋转，所述方法包括：

将所述衬底加载到所述处理室中；

将所述衬底支撑在设置在所述处理室中的衬底支撑部件上；

使被支撑在所述衬底支撑部件上的衬底支撑部件沿水平方向相 对于所述波导发射端口相对旋转；

用微波照射所述衬底的前表面；以及

将所述衬底从所述处理室卸载，

其中所述衬底支撑基座是导电基座，以及

其中所述衬底支撑引脚的顶部与导电基座之间的距离对应于在 处理所述衬底时供应的微波的1/4波长的奇数倍。