[发明专利]离子注入方法和离子注入装置

权利要求书

1.一种离子注入方法，通过改变离子束和基板的相对位置关系，向所述基板注入离子，其特征在于，

所述离子注入方法按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，所述第一离子注入处理在所述基板面内形成均匀的剂量分布，所述第二离子注入处理在所述基板面内形成不均匀的剂量分布，并且

在进行所述第二离子注入处理时向所述基板上照射的所述离子束的断面尺寸比在进行所述第一离子注入处理时向所述基板上照射的所述离子束的断面尺寸小。

2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，当使用所述第一离子注入处理和所述第二离子注入处理对多个基板进行处理时，在对所述多个基板连续进行了一种离子注入处理之后，对所述多个基板连续进行另一种离子注入处理。

3.一种离子注入装置，通过改变离子束和基板的相对位置关系，向所述基板注入离子，其特征在于，

所述离子注入装置包括控制装置，该控制装置进行控制，使得按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，并且使在进行所述第二离子注入处理时向所述基板照射的所述离子束的断面尺寸比在进行所述第一离子注入处理时向所述基板照射的所述离子束的断面尺寸小，所述第一离子注入处理在所述基板面内形成均匀的剂量分布，所述第二离子注入处理在所述基板面内形成不均匀的剂量分布。

4.根据权利要求3所述的离子注入装置，其特征在于，所述控制装置进行控制，使得当使用所述第一离子注入处理和所述第二离子注入处理对多个基板进行处理时，在对所述多个基板连续进行了一种离子注入处理之后，对所述多个基板连续进行另一种离子注入处理。

5.根据权利要求3或4所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置还包括离子束整形罩，所述离子束整形罩对向所述基板照射的离子束进行整形，

所述控制装置根据所述第一离子注入处理和所述第二离子注入处理，来调整所述离子束整形罩的位置。