[发明专利]高压晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种高压晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上进行第一次离子注入形成高压阱；

在所述硅衬底上形成用于将所述高压阱与其它有源区隔离的浅沟槽隔离区；

在所述高压阱上形成图形化光刻胶，进行第二次离子注入以在所述高压阱内形成存在一定间距的第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域；

在所述高压阱上形成相互分离的栅极，所述栅极包括工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极，所述工作栅极所在的区域位于所述第一轻掺杂区域与第二轻掺杂区域之间，所述第一虚拟栅极位于第一轻掺杂区域上方，所述第二虚拟栅极位于第二轻掺杂区域上方；

在所述工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极的两侧均形成侧墙；

进行第三次离子注入以在所述第一虚拟栅极及第二虚拟栅极的远离所述工作栅极的一侧形成源或漏。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极的两侧形成侧墙之后并进行所述第三次离子注入以形成所述源或漏之前，形成图形化光刻胶使所述工作栅极分别与第一虚拟栅极、第二虚拟栅极之间的区域被光刻胶覆盖，以定义所述源或漏的注入区域。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极的两侧均形成侧墙后，所述工作栅极与第一虚拟栅极之间的侧墙交合在一起，所述工作栅极与第二虚拟栅极之间的侧墙交合在一起，进行所述第三次离子注入以形成所述源或漏之前，形成图形化光刻胶使所述硅衬底上所述高压阱以外的区域被光刻胶覆盖，以所述高压阱上的栅极、相邻栅极之间的侧墙及浅沟槽隔离区为掩膜进行所述第三次离子注入。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入的注入能量大于所述第二次离子注入的注入能量，所述第二次离子注入的注入能量大于所述第三次离子注入的注入能量，所述第二次离子注入、第三次离子注入的离子掺杂类型相同。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域的边界紧邻所述浅沟槽隔离区的侧壁。

6.一种高压晶体管，其特征在于，包括：

在硅衬底上形成的高压阱；

设置在所述高压阱内并彼此间存在一定间距的第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域；

位于所述高压阱上方的栅极，所述栅极包括相互分离的工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极，所述工作栅极所在的区域位于第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域之间，所述第一虚拟栅极位于第一轻掺杂区域上方，所述第二虚拟栅极位于第二轻掺杂区域上方；

位于所述第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域内的源或漏。

7.根据权利要求6所述的高压晶体管，其特征在于，另包括在所述硅衬底上形成的用于将所述高压阱与其它有源区隔离的浅沟槽隔离区。

8.根据权利要求7所述的高压晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域的边界紧邻所述浅沟槽隔离区的侧壁。

9.根据权利要求7所述的高压晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域内的源或漏的边界紧邻所述浅沟槽隔离区的侧壁、并紧邻所述第一虚拟栅极或第二虚拟栅极的远离所述工作栅极一侧的侧壁。

10.根据权利要求6所述的高压晶体管，其特征在于，所述工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极的两侧均设有侧墙，所述工作栅极与第一虚拟栅极之间的侧墙交合在一起，所述工作栅极与第二虚拟栅极之间的侧墙交合在一起。

11.根据权利要求6所述的高压晶体管，其特征在于，所述第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域的掺杂类型与所述源或漏的掺杂类型相同。