[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

电路基板，包括基础基板、在基础基板上的基板连接端子和在基础基板上的基板绝缘层，基板绝缘层暴露基板连接端子；

第一半导体芯片，位于电路基板上，第一半导体芯片包括芯片连接端子和芯片绝缘层，芯片绝缘层暴露芯片连接端子；

内部焊球，在基板连接端子和芯片连接端子之间，内部焊球将基板连接端子电连接到芯片连接端子；

虚设焊料，在虚设开口中，虚设开口在基板绝缘层和芯片绝缘层中的至少一个层中，虚设焊料不将第一半导体芯片电连接到电路基板。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，

电路基板还包括通孔金属图案，通孔金属图案在穿透电路基板的通孔的内侧壁上，虚设开口在基板绝缘层中，虚设开口暴露通孔金属图案，虚设焊料接触通孔金属图案，虚设焊料至少部分地填充通孔。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，

电路基板还包括电路金属图案，电路金属图案电连接到基板连接端子，

基板绝缘层包括虚设开口，虚设开口暴露电路金属图案。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其中，虚设开口的宽度宽于电路金属图案的宽度。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，

电路基板还包括基板虚设金属图案，

基板绝缘层包括虚设开口，

虚设开口暴露基板虚设金属图案，

虚设焊料接触所述基板虚设金属图案。

6.如权利要求5所述的半导体封装件，其中，虚设开口的宽度宽于基板虚设金属图案的宽度。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，

电路基板还包括凹进金属图案，凹进金属图案在电路基板的凹进区域的侧壁和底部上，

基板绝缘层包括虚设开口，虚设开口暴露凹进金属图案，

虚设焊料接触凹进金属图案，虚设焊料至少部分地填充凹进区域。

8.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片还包括芯片虚设金属图案，虚设开口在芯片绝缘层中，虚设开口暴露芯片虚设金属图案，虚设焊料接触芯片虚设金属图案。

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片还包括突起，突起位于芯片连接端子上，所述内部焊球覆盖突起的至少一个侧面。

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一半导体芯片还包括穿透第一半导体芯片的过孔。

11.如权利要求10所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片电连接到过孔。

12.一种制造半导体封装件的方法，该方法包括下述步骤：

形成包括基础基板、在基础基板上的基板连接端子和覆盖基础基板并暴露基板连接端子的基板绝缘层的电路基板；

在电路基板上形成混合物层，混合物层包含粘结树脂和多个焊料颗粒；

在混合物层上设置第一半导体芯片，第一半导体芯片包括芯片连接端子和暴露芯片连接端子的芯片绝缘层；

在基板连接端子和芯片连接端子之间形成内部焊球；

在虚设开口中形成虚设焊料，虚设开口在基板绝缘层和芯片绝缘层中的一个层中。

13.如权利要求12所述的方法，其中，焊料颗粒分散在粘结树脂中。

14.如权利要求12所述的方法，其中，形成混合物层的步骤包括设置包括由粘结树脂形成的粘结树脂层和由焊接颗粒形成的焊接颗粒层的混合多层。

15.如权利要求12所述的方法，其中，形成内部焊球的步骤包括：将混合物层加热到高于焊料颗粒的熔点的温度。

16.如权利要求12所述的方法，其中，形成电路基板的步骤包括：

准备基础基板；

在基础基板上形成基板连接端子；

在基础基板上形成基板绝缘层，将基板绝缘层形成为暴露基板连接端子。