[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年9月24日递交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2010-0092853的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明涉及有机发光显示设备及其制造方法。

背景技术

例如有机发光显示设备或液晶显示设备的平板显示设备制造在包括薄膜晶体管(TFT)、电容器以及用于连接TFT和电容器的布线的基板上。

一般来说，为了在制造平板显示设备的基板上形成包括TFT的精细图案，通过利用其上形成有精细图案的掩膜将这种精细图案传递到阵列基板上。

一般来说，在光刻操作中通过利用掩膜传递图案。在光刻操作中，将光刻胶均匀涂覆在待形成图案的基板上，通过利用诸如步进机之类的曝光设备对光刻胶进行曝光，并且在利用正性光刻胶时，对曝光的光刻胶进行显影。此外，在对光刻胶进行显影之后，通过利用光刻胶的剩余部分作为掩膜刻蚀图案，然后去除光刻胶的剩余部分。

在如上所述的通过利用掩膜传递图案的操作中，预先制备包括必要图案的掩膜。因此，制备掩膜的成本随着利用掩膜的操作数目的增加而增加。此外，这种操作包括如上所述的复杂步骤。因此，总的制造时间和制造成本增加。

发明内容

根据本发明的示例性实施例提供一种有机发光显示设备及其制造方法，该有机发光显示设备可以通过简化的制造工艺来制造，并且由于提高了焊盘单元上的电阻均匀性而展示出提高的亮度。

根据本发明实施例的方面，提供了一种有机发光显示设备，包括：薄膜晶体管(TFT)，包括有源层、包括栅底电极和栅顶电极的栅电极、源电极和漏电极；有机电致发光(EL)器件，电连接至所述TFT，并且包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的像素电极、包括发射层的中间层以及对电极的堆叠；第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料；以及第二焊盘电极，包括位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料的第二焊盘底电极，和位于与所述栅顶电极相同的层处且包括与所述栅顶电极相同的材料的第二焊盘顶电极。

所述第二焊盘电极的两个相对端可以电连接至所述第一焊盘电极，并且所述第二焊盘电极可以在与所述第一焊盘电极平行的方向上延伸。

所述有机发光显示设备可以进一步包括用于覆盖所述第二焊盘电极的一个或多个绝缘层。

所述有机发光显示设备可以进一步包括用于覆盖所述TFT、所述有机EL器件、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极的至少部分的一个或多个绝缘层，其中所述一个或多个绝缘层中的至少一个绝缘层具有一个或多个开口，并且所述一个或多个开口和所述第二焊盘电极彼此不重叠。

所述第一焊盘电极的末端可以被暴露，并且可以电连接至用于供应用以驱动所述有机发光显示设备的电流的驱动器IC。

经由所述第一焊盘电极输入的电流的至少一部分可以经由所述第二焊盘电极被传输至所述TFT和所述有机EL器件。

所述栅底电极、所述像素电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘底电极可以包括ITO、IZO、ZnO和In₂O₃中的一种或多种。

所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以包括从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW、Al/Cu和其组合物中选择的一种或多种材料。

所述栅顶电极和所述第二焊盘顶电极可以具有Mo-Al-Mo的三层结构。

根据按照本发明的实施例的另一方面，提供了一种有机发光显示设备，包括：位于基板上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的TFT的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层上的像素电极；栅底电极，位于所述有源层上且位于与所述像素电极相同的层处，并且包括与所述像素电极相同的材料；第一焊盘电极，位于与所述栅底电极相同的层处且包括与所述栅底电极相同的材料，并且与所述栅底电极隔开；第二焊盘底电极，位于与所述第一焊盘电极相同的层处且包括与所述第一焊盘电极相同的材料，并且电连接至所述第一焊盘电极；位于所述栅底电极上的栅顶电极；第二焊盘顶电极，位于与所述栅顶电极相同的层上且包括与所述栅顶电极相同的材料，并且位于所述第二焊盘底电极上；第三绝缘层，覆盖所述像素电极、所述栅顶电极、所述第一焊盘电极和所述第二焊盘顶电极的至少部分；以及位于所述第三绝缘层上的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极中之一接触所述像素电极。