[发明专利]薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材无效
| 申请号: | 201110285639.5 | 申请日: | 2011-09-23 |
| 公开(公告)号: | CN102433531A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
| 发明(设计)人: | 黛良享;有泉久美子;吉田勇气;樱井英章 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;B32B9/04;C04B35/03 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 形成 用气相 沉积 具备 压片 | ||
1.一种气相沉积材,为混合第一氧化物粉末和第二氧化物粉末而制作的气相沉积材,其特征在于,
所述第一氧化物粉末为MgO粉末,所述第一氧化物粉末的第一氧化物纯度为98%以上,
所述第二氧化物粉末为CaO粉末,所述第二氧化物粉末的第二氧化物纯度为98%以上,
所述气相沉积材由含有所述第一氧化物粉末和所述第二氧化物粉末的颗粒构成,
所述气相沉积材中的第一氧化物与第二氧化物的摩尔比为5~99∶95~1,且所述颗粒的碱度为0.1以上。
2.根据权利要求1所述的气相沉积材,所述第一氧化物粉末的平均粒径为0.1~10μm,且所述第二氧化物粉末的平均粒径为0.1~10μm。
3.一种薄膜片材,通过将权利要求1或2所述的气相沉积材用作靶材的真空成膜法,在第一基材薄膜上形成包含所述第一氧化物所含的金属元素A和所述第二氧化物所含的金属元素B的氧化物薄膜,
所述薄膜中的全部金属元素的含有比例设为100摩尔%时,所述金属元素A的含有比例为5~99摩尔%,所述金属元素B的含有比例为95~1摩尔%。
4.根据权利要求3所述的薄膜片材,所述真空成膜法为电子束蒸镀法、离子镀法、反应性等离子体沉积法、电阻加热法或感应加热法中的任意一种。
5.一种层压片材,在权利要求3或4所述的薄膜片材的薄膜形成侧通过粘接层层压第二基材薄膜而成。
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