[发明专利]具有受应力区域的半导体本体

权利要求书

1.一种由半导体材料制成的半导体本体，具有：

- 沿参考方向（X）具有第一晶格常数的半导体材料的第一单晶区域（11，20，30），

- 沿参考方向（X）具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数的半导体材料的第二单晶区域（12，22，34），和

- 在第一区域（11，20，30）和第二区域（12，22，34）之间的第三受应力的单晶区域（13，23，33）。

2.按照权利要求1的半导体本体，其中半导体材料的第一单晶区域（11，20，30）具有第一晶体取向，并且第二单晶区域（12，22，34）具有不同于第一晶体取向的第二晶体取向。

3.按照权利要求2的半导体本体，其中第一晶体取向是（100），并且第二晶体取向是（111）或（311）。

4.一种电子元件，具有：

- 按照以上权利要求之一的半导体本体，和

- 在半导体本体中的构成至少一个pn结的至少两个掺杂物区（1，2，3）。

5.按照权利要求4的电子元件，其中在半导体本体中构成有第一导电类型（1，2）的第一掺杂物区、第一导电类型（1，2）的第二掺杂物区以及与第一导电类型相反的第二导电类型的处于第一和第二掺杂物区之间的第三掺杂物区（3），并且其中至少第三掺杂物区（3）至少部分地包括半导体本体的受应力的第三区域（13，23，33）。

6.一种用于生成具有受应力区域的半导体本体的方法，具有以下的特征：

- 提供沿参考方向（X）具有第一晶格常数的半导体材料制成的第一单晶半导体区（11，20，30），

- 生成由与第一半导体区（11，20，30）邻接并沿参考方向（X）具有不同于第一晶格常数的第二晶格常数的相同的半导体材料制成的第二单晶半导体区（12，22，34），其中在第一和第二半导体区（20，22）之间形成第三受应力的半导体区（13，23，33）。

7.按照权利要求6的方法，其中第二半导体区（12，22，34）的生成具有以下的特征：

- 在第一半导体区（20）的表面（24）上生成μ结晶的或非晶的层（21），或部分μ结晶的和部分非晶的层（21），

- 用800℃之上的温度对μ结晶的和/或非晶的层（21）热处理，其中所述层再结晶。

8.按照权利要求7的方法，其中通过析出方法在第一半导体区（20）的表面（24）上进行μ结晶的和/或非晶的层（21）的生成。

9.按照权利要求8的方法，其中所述析出方法具有以下的特征：

- 用低能粒子处理第一半导体区（11，20，30）的表面，其中所述低能粒子从单晶的第一半导体区（11，20，30）中分离出半导体材料的原子，

- 在第一半导体区（11，20，30）的剩余的表面上将这些分离出的原子析出。

10.按照权利要求9的方法，其中所述低能粒子是氢离子。

11.按照权利要求8的方法，其中借助溅射或蒸镀进行所述析出。

12.按照权利要求7至11之一的方法，其中制造具有0.5 μm至5 μm厚度的μ结晶的和/或非晶的层（21）。

13.按照权利要求6至12之一的方法，其中在1100℃至1200℃之间的温度区域中进行所述热处理。

14.按照权利要求6至13之一的方法，其中经过在30分钟直至四小时范围中的持续时间来进行所述热处理。

15.按照权利要求6的方法，其中将第二单晶的半导体区通过晶片接合安放在第一单晶的半导体区上。