[发明专利]一种金属硅中除硼的方法无效

专利信息
申请号: 201110278875.4 申请日: 2011-09-16
公开(公告)号: CN102358620A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 罗学涛;黄平平;吴浩;傅翠梨;张蓉;李锦堂 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属硅 方法
【权利要求书】:

1.一种金属硅中除硼的方法,其特征在于包括以下步骤:

1)将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料,再装入熔炼炉,在氩气氛围下进行造渣处 理;

2)将步骤1)造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛,得到硅粉;

3)将步骤2)所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡;

4)将步骤3)所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡;

5)将步骤4)所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡,冲洗、抽滤,得到冲洗 干净的硅粉;

6)将步骤5)所得到的硅粉进行喷雾干燥,得到低硼的冶金硅粉。

2.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤1)中,所述造渣 剂为K2O-MgCl2-SiO2-CaO,渣的质量配比为K2O∶MgCl2∶SiO2∶CaO=11∶10∶43∶36;所 述金属硅为块状或粉状,其中硼的含量可为8ppmw。

3.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤1)中,所述造渣 剂与金属硅的质量比为0.05~0.5。

4.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤1)中,所述碾压 的条件为:碾压时间为1~4h,最合适的时间1.5~2h,碾压压力为10~25MPa,最合适的压 力为15~18MPa。

5.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤1)中,所述球形 硅料的大小为10~50mm,最合适的大小为20~30mm;所述熔炼炉采用真空熔炼铸锭炉;所 述熔炼炉的加热反应温度为1450~1750℃。

6.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤2)中,所述过筛 后的硅粉粒度为50~120目筛的颗粒料。

7.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤3)中,所述盐酸 浓度为1~4mol/L;所述氢氟酸浓度为0.5~2mol/L;所述浸泡的时间为4~8h。

8.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤4)中,所述混合 液中硝酸与双氧水的体积比为1∶1;所述浸泡的时间为6~12h。

9.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤5)中,所述氢氟 酸浓度为1.5~4.5mol/L,所述有机胺选自二乙醇胺或乙二胺,所述有机胺的质量浓度为 0.1%~3%,所述浸泡的时间为18~24h。

10.如权利要求1所述的一种金属硅中除硼的方法,其特征在于在步骤6)中,所述喷 雾干燥的温度为250~650℃,比较合适的温度为300~550℃,最佳的温度为485~520℃。

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