[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板有效
| 申请号: | 201110278603.4 | 申请日: | 2011-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN102306652A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 王士敏;朱泽力;商陆平;李绍宗 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
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| 地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 使用 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板。
背景技术
液晶显示器由于其具有功耗低、体积小等优点,目前已广泛取代CRT显示器,成为当今主流显示器。
众所周知,液晶显示器主要包括彩膜基板、液晶层、阵列基板。彩膜基板与阵列基板相对设置,液晶层设置于彩膜基板与阵列基板之间。阵列基板中包括多个包括玻璃基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管结构、栅极绝缘层、钝化层、有机层、像素电极层等。所述液晶显示器的制作过程如下:先于玻璃基板上制作栅极线及薄膜晶体管的栅极,在栅极线和栅极上制作栅极绝缘层,在栅极和栅极绝缘层上制作有源层,然后在有源层上制作薄膜晶体管的源极、漏极以及数据线,再制作钝化层和有机层,最后制作所述电极层,该电极层通过设置于钝化层和有机层中的通孔与薄膜晶体管的漏极电性连接。
上述液晶显示器中,薄膜晶体管的源极和漏极设置于有源层上,源极的一端连接数据线、漏极的一端连接像素电极,而该有源层又设置于栅极上,因此,薄膜晶体管的源极和漏极中,连接数据线和像素电极的部分与设置于有源层上的部分之间具有较大的段差,即所述薄膜晶体管形成一个“岛”结构。因此,设置于有源层上的部分源极与设置于栅极绝缘层上用于与数据线相连的部分源极之间很容易出现断线风险,同理,设置于有源层上的部分漏极与设置于栅极绝缘层上用于与电极层相连的部分漏极之间也很容易出现断线风险,造成单个像素的功能缺失,使所述液晶显示器出现“黑点”。
同时,数据线和栅极线在所述玻璃基板上多处交叉,在交叉点处,栅极线位于数据线下,栅极线与数据线通过栅极绝缘层绝缘开。设置于栅极和栅极绝缘层上的部分数据线与仅设置于栅极绝缘层上的部分数据线之间也具有段差,该段差的存在,也很容易造成数据线出现断线风险,使单一数据线出现功能缺失,造成所述液晶显示器出现“暗线”。
另外,液晶显示器中,需要设置有机层,以防止电极层与数据线或栅极线发生短接,该有机层是在制作完所述钝化层之后,通过额外的工艺制作完成,其工艺繁琐,生产成本高。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可有效减少断线、简化制作工艺、降低生产成本、提高开口率及提升良品率的阵列基板。
此外,还有必要提供一种上述阵列基板的制作方法。
另外,还有必要提供一种使用上述阵列基板的显示面板。
一种阵列基板包括具有形成多个收容空间的第三表面的第二透明衬底和形成于第二透明衬底上的多个薄膜晶体管、多条栅极线;该薄膜晶体管包括栅极,位于同一行的多个薄膜晶体管的栅极与同一栅极线相连,并一同收容于该收容空间内。
本发明提供的阵列基板中,薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、有源层、源极、漏极,栅极绝缘层覆盖于该栅极上,有源层设置于栅极绝缘层上,源极和漏极沿平行于栅极线的延伸方向间隔设置于有源层上。
本发明提供的阵列基板中,阵列基板还包括多条数据线、绝缘层,位于同一列的多个薄膜晶体管的源极连接至同一条数据线;该多条栅极线分别与多条数据线相互交叉定义出多个第二间隔区域,并在交叉处通过绝缘层绝缘开;绝缘层至少覆盖于该多条栅极线上。
本发明提供的阵列基板中,第二透明衬底还具有第二表面,所述绝缘层和栅极绝缘层均收容于所述收容空间内,且其表面与第二表面位于同一平面内。
本发明提供的阵列基板中,第二透明衬底还具有第二表面,多条栅极线和多个薄膜晶体管的栅极收容于收容空间,其表面与第二表面形成一共同的平面;绝缘层形成于第二表面和栅极线上,且其与栅极绝缘层的表面与第二表面平行。
本发明提供的阵列基板中,源极和漏极的一部分均设置于所述绝缘层上,所述阵列基板还包括钝化层,所述钝化层设置于多个薄膜晶体管、绝缘层、多条数据线之上,并完全覆盖所述多个薄膜晶体管、绝缘层、多条数据线,该钝化层采用与第二透明衬底具有相同或相似的光学性能的材料制成;该钝化层上设有多个通孔,所述通孔与所述绝缘层上的漏极的一部分对应,并至少露出所述漏极的一部分,多个所述像素电极设置于钝化层之上,并通过所述通孔与所述漏极的一部分电性连接。
本发明提供的阵列基板中,第二透明衬底还具有第二表面,绝缘层收容于收容空间内,有源层与栅极绝缘层一同收容于收容空间内,且绝缘层和有源层的表面与第二表面形成一共同的平面;多个像素电极、多条数据线、源极的一部分、漏极的一部分设置于第二表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





