[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、使用该阵列基板的显示面板有效
| 申请号: | 201110278603.4 | 申请日: | 2011-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN102306652A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 王士敏;朱泽力;商陆平;李绍宗 | 申请(专利权)人: | 深圳莱宝高科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 使用 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,包括具有形成多个收容空间的第三表面的第二透明衬底和形成于第二透明衬底上的多个薄膜晶体管、多条栅极线;该薄膜晶体管包括栅极,位于同一行的多个薄膜晶体管的栅极与同一栅极线相连,并一同收容于该收容空间内。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:该薄膜晶体管还包括栅极绝缘层、有源层、源极、漏极,栅极绝缘层覆盖于该栅极上,有源层设置于栅极绝缘层上,源极和漏极沿平行于栅极线的延伸方向间隔设置于有源层上。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板还包括多条数据线、绝缘层,位于同一列的多个薄膜晶体管的源极连接至同一条数据线;该多条栅极线分别与多条数据线相互交叉定义出多个第二间隔区域,并在交叉处通过绝缘层绝缘开;绝缘层至少覆盖于该多条栅极线上。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于:第二透明衬底还具有第二表面,所述绝缘层和栅极绝缘层均收容于所述收容空间内,且其表面与第二表面位于同一平面内。
5.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于:第二透明衬底还具有第二表面,多条栅极线和多个薄膜晶体管的栅极收容于收容空间,其表面与第二表面形成一共同的平面;绝缘层形成于第二表面和栅极线上,且其与栅极绝缘层的表面与第二表面平行。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于:所述源极和漏极的一部分均设置于所述绝缘层上,所述阵列基板还包括钝化层,所述钝化层设置于多个薄膜晶体管、绝缘层、多条数据线之上,并完全覆盖所述多个薄膜晶体管、绝缘层、多条数据线,该钝化层采用与第二透明衬底具有相同或相似的光学性能的材料制成;该钝化层上设有多个通孔,所述通孔与所述绝缘层上的漏极的一部分对应,并至少露出所述漏极的一部分,多个所述像素电极设置于钝化层之上,并通过所述通孔与所述漏极的一部分电性连接。
7.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于:第二透明衬底还具有第二表面,绝缘层收容于收容空间内,有源层与栅极绝缘层一同收容于收容空间内,且绝缘层和有源层的表面与第二表面形成一共同的平面;多个像素电极、多条数据线、源极的一部分、漏极的一部分设置于第二表面上。
8.如权利要求5至7中任意一中所述的阵列基板,其特征在于:所述像素电极、多条数据线、源极、漏极由同种透明导电材料在同一制程中制作而成;所述栅极、栅极绝缘层、有源层在所述第二表面上的投影重合,绝缘层与栅极绝缘层采用与第二透明衬底具有相同或相似光学性能的材料在同一制程中制作而成;多条栅极线之间相互平行,任意两栅极线之间具有相同的间距;多条数据线之间相互平行,任意两条数据线之间的间距相同。
9.一种使用如权利要求4至7中任意一种阵列基板的显示面板,其包括彩膜基板、阵列基板、功能层,彩膜基板与阵列基板相对设置,且两者之间具有一间隔,用于收容功能层,彩膜基板包括具有第一表面的第一透明衬底、形成于第一表面上的黑色矩阵、彩色膜层、公共电极层,第一表面与阵列基板的第二表面平行间隔设置,黑色矩阵在第一表面上定义出多个第一间隔区域,多个第一间隔区域分别与阵列基板中的多个第二间隔区域对应,彩色膜层形成于第一间隔区域所在的第一表面上,公共电极层覆盖于彩色膜层和黑色矩阵上。
10.一种阵列基板的制作方法,其包括下列步骤:
提供一具有形成多个收容空间的第三表面的第二透明衬底;
在该第三表面上形成多个薄膜晶体管的栅极以及多条栅极线,并使该多个栅极和多条栅极线收容于该收容空间内。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于:所述阵列基板的制作方法还包括以下步骤:
在栅极上形成栅极绝缘层,同时在多条栅极线上形成绝缘层,并使栅极绝缘层至少覆盖该栅极,绝缘层至少覆盖该多条栅极线。
12.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法,其特征在于:所述阵列基板的制作方法还包括以下步骤:
在栅极绝缘层上形成有源层;以及在有源层上形成源极和漏极,并使该源极和漏极间隔一段距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





