[发明专利]大功率半导体激光器膨胀制冷系统

权利要求书

1.一种大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：包括按制冷介质流程依次连通的制冷压缩机、冷凝器和激光器制冷封装组件；所述激光器制冷封装组件设有膨胀腔，所述制冷介质在激光器制冷封装组件的膨胀腔内膨胀蒸发气化后回至制冷压缩机进口；半导体激光器阵列与膨胀腔外壁导热连接。

2.根据权利要求1所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述激光器制冷封装组件包括至少一片基片紧密叠合形成的基片组和分别位于基片两侧与基片组紧密叠合的夹持片I和夹持片II，所述基片表面刻蚀膨胀槽和与膨胀槽相通的毛细槽，所述膨胀槽和毛细槽通过紧密叠合的相邻基片或者夹持片I封闭分别形成膨胀腔和与膨胀腔相通的毛细通道，所述毛细通道与冷凝器出口连通，膨胀腔连通于压缩机入口。

3.根据权利要求2所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述基片设有用于安装半导体激光器阵列的沉台，所述膨胀槽位于沉台背侧，并包容于沉台。

4.根据权利要求3所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述膨胀腔设有膨胀腔介质出口，毛细通道设有毛细通道介质进口，毛细通道介质进口和膨胀腔介质出口均为设于基片上的贯穿孔。

5.根据权利要求4所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述膨胀腔的尺寸大于或等于半导体激光器阵列的尺寸，所述膨胀腔介质出口和膨胀腔用于与毛细通道连通的介质进口分别位于膨胀腔沿半导体激光器阵列的两端。

6.根据权利要求5所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述夹持片I设有连通于毛细通道介质进口的进口流道，夹持片II设有与膨胀腔介质出口连通的出口流道。

7.根据权利要求6所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：所述基片组中的基片为一个，基片的膨胀槽和毛细槽通过紧密叠合的夹持片I封闭分别形成膨胀腔和与膨胀腔相通的毛细通道。

8.根据权利要求6所述的大功率半导体激光器膨胀制冷系统，其特征在于：基片组中的基片为多个，位于首端的基片的膨胀槽和毛细槽通过紧密叠合的夹持片I封闭，其余基片的膨胀槽和毛细槽通过位于其前侧的相邻基片紧密贴合封闭，相邻基片叠合后其毛细通道介质进口相互连通形成介质进口通道，相邻基片叠合后其膨胀腔介质出口相互连通形成介质出口通道。