[发明专利]用于P型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法有效
| 申请号： | 201110276667.0 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102324455B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | M·拉费托;J·巴拉坦;K·哈贝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊贝特森;T·李 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高为;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 氮化物 发光 装置 超薄 欧姆 接触 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体基发光装置，包括：
n型半导体衬底；
所述衬底上的n型GaN外延层；
所述n型GaN外延层上的p型GaN外延层；
所述p型GaN外延层上的金属欧姆接触，所述金属欧姆接触具有小于的平均厚度和小于10-3ohm-cm2的比接触电阻率；以及所述金属欧姆接触上的焊盘。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述平均厚度为到
3.如权利要求1所述的发光装置，其中通过对所述金属欧姆接触的俄歇分析测量，所述金属欧姆接触覆盖小于13％到小于47％的p型氮化物层。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中在350nm的测量波长下，所述金属欧姆接触的标准化透射率高于92％。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述平均厚度为到
6.一种倒装半导体基发光装置，包括：
p型氮化物层；
所述p型氮化物层上的金属欧姆接触p电极，所述金属欧姆接触p电极平均厚度小于以及
所述金属欧姆接触p电极上的反射体。
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