[发明专利]低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器

权利要求书

1.一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，由下至上依次为N面电极(10)、衬底(1)、缓冲层(2)、下限制层(3)、下波导层(4)、中心腔(5)、上波导层(6)、上限制层(7)、P盖层(8)和P面电极(9)；P面电极(9)放置在盖层(8)的顶面上，并且电连接到盖层(8)，N面电极(10)位于衬底(1)的背面，并且电连接到衬底(1)；中心腔(5)位于下波导层(4)与上波导层(6)之间，有源区(5a)插入在中心腔(5)内；其特征在于所述下波导层(4)采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层(6)采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。

2.根据权利要求1所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于所述中心腔(5)为光子晶体缺陷层，有源区(5a)位于光子晶体缺陷层内。

3.根据权利要求2所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于所述有源区(5a)为单层量子阱、多层量子阱、量子点或量子线。

4.根据权利要求2所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于可在中心腔(5)两侧的下波导层(4)和/或上波导层(6)中至少一个周期内的高折射率层光场分布较强峰位置处插入有源区，组成复合发光区。

5.根据权利要求1所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于所述上波导层(6)中布拉格反射波导的周期数小于下波导层(4)中布拉格反射波导的周期数。

6.根据权利要求1所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于所述上波导层(6)中布拉格反射波导的折射率分布与下波导层(4)中布拉格反射波导的折射率分布不同，基模横向传输常数位于两个波导的交叠带隙处。

7.根据权利要求1所述的低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，其特征在于所述衬底(1)采用N型高掺杂的GaAs，缓冲层(2)选择N型高掺杂的GaAs，下限制层(3)选择N型高掺杂的高铝组分AlGaAs材料，下波导层(4)的高折射率层(4b)和低折射率层(4a)选择不同铝组分的AlGaAs材料，上波导层(6)的高折射率层和低折射率层选择不同铝组分的AlGaAs材料，上限制层(7)选择高铝组分AlGaAs材料，盖层(8)选择P型重掺杂GaAs材料。