[发明专利]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201110270900.4 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN102881802A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 张翌诚;李育群 申请(专利权)人: 隆达电子股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/64
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括:

一荧光基板;

一发光二极管芯片,设置于该荧光基板上,该发光二极管芯片具有一对电极;

一线路,设置于该荧光基板上,且电性连接至该发光二极管芯片的该对电极;

一保护层,形成于该发光二极管芯片上,且具有一开口露出部分该发光二极管芯片;及

一散热块,设置于该保护层上且填入该开口。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该荧光基板包括陶瓷荧光基板或硅胶荧光基板。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该保护层包括聚亚酰胺、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯或前述的组合。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中还包括一黏着层,顺应性地形成于该保护层的上表面及该开口中。

5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其中该黏着层的材质包括Ti及Cu。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中还包括一共晶层,形成于该散热块上方。

7.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构,其中该共晶层的材质为金锡合金。

8.根据权利要求6所述的发光二极管封装结构,其中该共晶层的厚度约为-1-5μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中还包括一透明胶,形成于该荧光基板及该发光二极管芯片之间。

10.根据权利要求9所述的发光二极管封装结构,其中该透明胶包括环氧树脂或硅胶。

11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中发光二极管封装结构的厚度不超过200微米。

12.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其中该对电极设置于该发光二极管芯片的上表面,且该线路沿该发光二极管芯片的侧壁延伸至该对电极。

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