[发明专利]具有T型鳍部的鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底表面的鳍部，所述鳍部包括位于所述基底表面的第一子鳍部，以及位于所述第一子鳍部顶部的第二子鳍部，所述第二子鳍部的宽度大于所述第一子鳍部的宽度。

2.如权利要求1所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，所述第二子鳍部的宽度小于所述第一子鳍部的宽度的三倍。

3.如权利要求1所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，所述鳍部的材料为Si。

4.如权利要求1所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，还包括：

横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构包括位于所述鳍部表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极层；

位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源/漏极；

位于所述源/漏极表面的金属硅化物层。

5.如权利要求4所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管，其特征在于，所述栅介质层的材料为高K材料；所述栅电极层的材料为金属材料；所述金属硅化物层的材料为NiPt硅化物。

6.一种具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；形成位于所述基底表面的第一硅薄膜；形成位于所述第一硅薄膜表面的硬掩膜层；形成位于所述硬掩膜层表面的具有第一开口的图案层；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；

去除所述图案层；

以所述侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜层形成第一结构，再去除所述侧墙；

以所述第一结构为掩膜刻蚀所述有第一硅薄膜形成第一子鳍部；

形成覆盖所述基底、第一子鳍部的侧壁的绝缘层，所述绝缘层的表面与所述第一子鳍部的表面齐平；

形成位于所述第一子鳍部顶部的第二子鳍部，所述第二子鳍部的宽度大于所述第一子鳍部的宽度。

7.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二子鳍部的宽度小于所述第一子鳍部的宽度的三倍。

8.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度为1-8nm。

9.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述第二子鳍部的形成步骤包括：形成覆盖所述绝缘层的第二硅薄膜；形成覆盖所述第二硅薄膜的光刻胶层，所述光刻胶层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一子鳍部表面；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述第二硅薄膜，形成第二子鳍部。

10.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述基底、第一子鳍部的侧壁的绝缘层的形成步骤包括：

形成覆盖所述基底、第一子鳍部和第一结构的绝缘薄膜；平坦化所述第一结构和部分厚度的绝缘薄膜，暴露出所述第一子鳍部表面，形成绝缘层。

11.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：去除所述绝缘层，暴露出所述第一子鳍部的侧壁。

12.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为氧化硅。

13.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层的形成工艺为热氧化工艺或化学气相沉积工艺。

14.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图案层的材料为SiON。

15.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述图案层的形成工艺为等离子体沉积工艺。

16.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂或SiN。

17.如权利要求6所述的具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述第一子鳍部和第二子鳍部的伪栅介质层；形成覆盖所述基底表面、且位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极层；在所述伪栅电极层表面形成图形化的光刻胶层，刻蚀所述伪栅电极层和伪栅介质层，形成伪栅极结构。