[发明专利]一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201110250151.9 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102290439A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 邢东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 终止 inaln gan hemt 器件 | ||
1.一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于，包括：
衬底（1），在所述衬底（1）上的成核层（2），在所述成核层（2）上的沟道层（5），在所述沟道层（5）上的势垒层（7），在所述势垒层（7）上的刻蚀终止层（8），在所述刻蚀终止层上的帽层（9），与刻蚀终止层（8）或帽层（9）接触的源电极（12）和漏电极（13），与刻蚀终止层（8）接触的凹槽金属栅电极（11）或绝缘栅电极（11）；
所述衬底材料为Si或SiC或Sapphire或GaN，所述成核层的材料为AlN，所述沟道层的材料为GaN，所述势垒层的材料为InXAlN，所述刻蚀终止层的材料为InXGaN或InXAlGaN，所述帽层的材料为InXAlN，0<X<1。
2.如权利要求１所述一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于，还包括在成核层（2）与沟道层（5）之间的缓冲层（3）和背势垒层（4），缓冲层（3）在背势垒层（4）下面，缓冲层（3）的材料为GaN，背势垒层（4）的材料为AlXGaN，0<X<1。
3.如权利要求１或2所述一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于，还包括在沟道层（5）与势垒层（7）之间的隔离层（6），隔离层（6）的材料为AlN。
4.如权利要求3所述一种有刻蚀终止层的InAlN/GaN HEMT器件，其特征在于，还包括在帽层（9）上的保护介质层（10）。
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