[发明专利]一种高压低比容阳极箔的腐蚀方法

说明书

技术领域

 本发明涉及铝箔的腐蚀方法。

背景技术

铝电解电容器用阳极箔，要么采用电化学，要么采用化学腐蚀方法来增大铝箔的有效表面积，其中主要包括铝箔表面蚀孔的引发和扩孔技术。有关腐蚀扩孔方面的研究有许多报道，以往的腐蚀方法，在蚀孔密度增加的同时，也伴随着是铝箔表面的溶解，降低了腐蚀箔的机械强度，限制了其应用领域。

发明内容

本发明的发明目的在于提供一种既能有效地进行腐蚀来扩大铝箔的有效表面积，同时又不会降低了腐蚀箔的机械强度的高压低比容阳极箔的腐蚀方法。

    本发明是这样实现的，依次包括：

A、前处理：将铝箔放在0.5～5wt%硫酸和1～5wt%盐酸的混合溶液中浸泡1～2分钟；

B、一级直流电解腐蚀：将上述经过前处理的铝箔放入0.5～5wt%硫酸和1～5wt%盐酸的混合溶液中进行一级直流电解腐蚀；

C、二级化学腐蚀：将上述经过一级直流电解腐蚀的铝箔放入浓度为2～5 wt%盐酸、0.1～0.6wt%磷酸及0.2～0.3wt%草酸的混合溶液中进行二级化学腐蚀； 

D、后处理：将上述经过二级化学腐蚀的铝箔在0.2～2wt%的硝酸水溶液中浸泡3～5分钟。

上述高压低比容阳极箔的腐蚀方法，作为优选，在前处理中，铝箔在混合溶液中浸泡温度在65℃～70℃。

上述高压低比容阳极箔的腐蚀方法，作为优选，在一级直流电解腐蚀中，电流密度为10～20A/dm²，电量为1200～1800C/dm²。

上述高压低比容阳极箔的腐蚀方法，作为优选，在一级直流电解腐蚀中，所述的混合溶液的温度为70℃～80℃。

上述高压低比容阳极箔的腐蚀方法，作为优选，在二级化学腐蚀中，所述的混合溶液的温度为80℃～85℃。

上述高压低比容阳极箔的腐蚀方法，作为优选，在后处理中，铝箔在硝酸水溶液中浸泡温度在65～75℃。

本发明的前处理目的是除去铝箔表面的油污、杂质，有利于一级直流电解腐蚀时形成均匀分布的初始蚀孔。

本发明的一级直流电解腐蚀目的是在铝箔表面形成初始蚀孔，并且使蚀孔孔径的大小合理、分布均匀。

本发明的二级化学腐蚀的目的是在初始蚀孔的基础上扩孔，使蚀孔的孔径满足高压化成的要求。

本发明后处理目的是除去铝箔表面残留的金属杂质，经过后处理后铝箔表面金属杂质残留量≤1mg/m²。

综上所述：本发明和现有技术相比具有如下优点：

采用本发明的腐蚀方法不仅解决了高压阳极箔的腐蚀问题，而且高压阳极箔在获得低比容前提下，具有很好的机械强度，且腐蚀成本降低。

具体实施方式：

    现结合实施例对本发明做进一步详细描述：

    本发明依次包括：

A、前处理：将铝箔放在0.5～5wt%硫酸和1～5wt%盐酸的混合溶液中浸泡1～2分钟；

B、一级直流电解腐蚀：将上述经过前处理的铝箔放入0.5～5wt%硫酸和1～5wt%盐酸的混合溶液中进行一级直流电解腐蚀；

C、二级化学腐蚀：将上述经过一级直流电解腐蚀的铝箔放入浓度为2～5 wt%盐酸、0.1～0.6wt%磷酸及0.2～0.3wt%草酸的混合溶液中进行二级化学腐蚀； 

D、后处理：将上述经过二级化学腐蚀的铝箔在0.2～2wt%的硝酸水溶液中浸泡3～5分钟。

工艺条件如下表所示：

实施例1—3的铝箔是日本昭和85μm箔，实施例4—6的铝箔是日本昭和90μm箔，

实施例1—3的85μm日本昭和箔达到的各项性能分别为：

C_530Vf＝0.26～0.29 μF/cm²  C_610Vf＝0.20～0.22μF/cm²  抗拉强度＝21.0N/cm；常温下效果稍差；

实施例4—6的90μm日本昭和箔达到的各项性能分别为：

C_530Vf＝0.30～0.32 μF/cm²  C_610Vf＝0.23～0.25 μF/cm²  抗拉强度＝21.0N/cm；常温下效果稍差。

这里，在后处理中进行化成处理，化成处理的条件是：

10%硼酸　　90℃　　0.05A/dm²　Vfe＝530V 610V。