[发明专利]研磨液、过抛和终点检测方法及装置、抛光设备

权利要求书

1.一种研磨液，用于化学机械抛光，其特征在于，所述研磨液中包括显色剂。

2.如权利要求1所述的研磨液，其特征在于，所述显色剂的剂量为0.001～10ppm。

3.如权利要求1所述的研磨液，其特征在于，在被抛光的物质为硅化镍时，所述显色剂为丁二酮肟。

4.如权利要求1所述的研磨液，其特征在于，在被抛光的物质为铜时，所述显色剂为二溴茜素紫。

5.如权利要求1所述的研磨液，其特征在于，在被抛光的物质为钨时，所述显色剂为二碘苯基荧光酮。

6.如权利要求1所述的研磨液，其特征在于，在被抛光的物质为铝时，所述显色剂为二磺基苯基荧光酮。

7.一种化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，包括：

利用包含显色剂的研磨液对需要抛光的物质进行化学机械抛光；

收集从化学机械抛光设备的抛光垫上流出的研磨液；

利用比色法获知从抛光垫上流出的研磨液中包含的需要抛光物质的浓度，所述需要抛光物质的浓度逐渐减小到预定范围内，或者研磨液中需要抛光物质的浓度在预定范围内且抛光的时间大于预定时间，或者研磨液中需要抛光物质的浓度第二次在预定范围内，输出终点检测信号。

8.如权利要求7所述的化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，所述需要抛光的物质为在形成栓塞过程中覆盖基底以及填充通孔的导电材料；

所述利用比色法获知从抛光垫上流出的研磨液中包含的需要抛光物质的浓度包括：

分别利用第一波长的光线和第二波长的光线照射所述收集到的研磨液；

分别获知所述收集到的研磨液对第一波长光线的第一吸光度A1、对第二波长光线的第二吸光度A2；

利用ΔA＝pC+q、ΔA＝A1/A2′-A2/A1′获知研磨液中包含的导电材料的浓度，其中，p、q为回归常数，C为收集到的研磨液中导电材料的浓度，A1′为参考溶液对第一波长光线的吸光度，A2′为参考溶液对第二波长光线的吸光度。

9.如权利要求8所述的化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，所述导电材料为铜，所述显色剂为二溴茜素紫，所述第一波长为607nm，所述第二波长为548nm，所述参考溶液为水，p值为3.11，q值为-0.0017。

10.如权利要求7所述的化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，所述需要抛光的物质为在形成栓塞过程中覆盖基底以及填充通孔的导电材料；

所述利用比色法获知从抛光垫上流出的研磨液中包含的需要抛光物质的浓度包括：

利用具有最大吸光度的光线照射所述收集到的研磨液；

获知所述收集到的研磨液对具有最大吸光度的光线的吸光度A；

利用A＝pC+q，获知收集到的研磨液中包含的导电材料的浓度，其中，p、q为回归常数，C为收集到的研磨液中导电材料的浓度。

11.如权利要求10所述的化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，所述导电材料为钨，所述具有最大吸光度的光线的波长为510nm，所述显色剂为二碘苯基荧光酮，所述p值为0.05532，所述q值为0.2316。

12.如权利要求10所述的化学机械抛光的终点检测方法，其特征在于，所述导电材料为铝，所述具有最大吸光度的光线的波长为610nm，所述显色剂为二磺基苯基荧光酮，所述p值为0.2013，所述q值为0.01165。

13.一种对层间介质层过抛的检测方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有伪栅极，所述伪栅极两侧的基底内形成有源极和漏极，所述源极和漏极上形成有金属硅化物，所述层间介质层覆盖所述伪栅极、基底和金属硅化物；

利用包含显色剂的研磨液对所述层间介质层进行化学机械抛光；

收集从化学机械抛光设备的抛光垫上流出的研磨液；

获取收集到的研磨液对单色光线的吸光度，在所述吸光度大于预定的吸光度时，得知对所述层间介质层抛光至所述金属硅化物层。

14.如权利要求13所述的对层间介质层过抛的检测方法，其特征在于，所述金属硅化物为硅化镍，所述显色剂为丁二酮肟。

15.如权利要求14所述的对层间介质层过抛的检测方法，其特征在于，所述丁二酮肟的浓度为0.001-10ppm。