[发明专利]串联装置的分流保护模块及其分流保护方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种串联装置的分流保护模块，尤指一种功率消耗低，可减少功率损耗的串联装置的分流保护模块。

背景技术

为确保串联连接的装置，例如发光二极管(LED)灯串，在其中一装置毁损时，与其串联连接的其它正常装置仍能继续获得电力而运作，因而有了所谓分流保护装置或电路的研发。

以美国第7,564,666号专利(后称前案)为例，如图7所示，其揭露一种分流保护电路，每个分流保护电路系对应连接一LED，该分流保护电路包括一第一连接端51、一第二连接端52、一金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor，MOS)闸控(gated)硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)53、两二极管54、55及一电阻56，其中该第一连接端51连接对应的LED的阳极，该第二连接端52系连接对应的LED的阴极，该MOS gated SCR53的汲极连接该第一连接端51，源极连接该第二连接端52，该两二极管54、55呈背靠背方式，以阳极互相连接，其中一二极管54的阴极连接该第一连接端51，另一二极管55的阴极连接该MOS gated SCR 53的闸极，而该电阻56则是一端连接该MOS gated SCR 53的闸极，另一端连接该第二连接端52。

使用上述分流保护电路时，当与该分流保护电路连接的LED正常运作时，电流几乎不通过该分流保护电路；然而当该LED毁损而致LED的串联回路开路时，该MOS gated SCR 53将导通而重新构成回路让电流流过，如此即可让LED灯串继续正常运作。

又如图8所示是该前案揭露的另一例子，在此例中，以一齐纳二极管57作为分流保护电路，以该齐纳二极管57的阴极连接该第一连接端51，阳极连接该第二连接端52；当LED正常运作时，电流不通过该分流保护电路；然而当该LED毁损而致LED的串联回路开路时，该齐纳二极管57将导通而重新构成回路让电流流过，如此即可让LED灯串继续正常运作。

惟由于上述两例中的MOS gated SCR 53或齐纳二极管57工作导通时，根据该前案说明书第6栏所揭示，若流过LED的电流约350毫安，LED上跨压大约是3.5伏特，则LED所消耗的功率约1.2瓦特，而该MOS gated SCR53或该齐纳二极管57工作时所消耗的功率最高不超过LED所消耗功率的四分之一(也就是0.3瓦特)；然而从图7可知，该MOS gated SCR 53的汲、源极跨压绝不会低于闸、源极跨压，故就如该前案说明书所述，虽该MOS gated SCR 53或该齐纳二极管57工作时所消耗的功率最好是能够达到LED所消耗功率的十分之一，但实际上并不易达成，原因就在于MOS gated SCR53的汲、源极跨压已不能更低。

因此，要如何减少分流保护装置的功率消耗，仍有待进一步的检讨，并谋求可行的解决方案。

发明内容

为改进既有分流保护装置功率消耗大的缺点，本发明的主要目的在提供一种串联装置的分流保护模块及其分流保护方法，该分流保护模块的功率消耗低，而可减少功率损耗。

前述串联装置的分流保护模块系供连接复数个相邻连接的目标装置，其中各目标装置具有一输入端及一输出端，各目标装置并与相邻的目标装置串联连接于一连接结点；又该分流保护模块系包括：

复数个分流半导体，系分别对应该复数个目标装置，且各分流半导体具有一触发端及二分流端，各分流半导体的二分流端系分别连接对应的目标装置的输入端和输出端，又该复数个分流半导体皆具有触发端取得电压越高则其二分流端的跨压越低的特性；

一控制单元，系连接该复数个分流半导体的触发端，并侦测该复数个目标装置是否仍正常运作，当该控制单元侦测到有目标装置无法正常导通时，该控制单元系输出一触发电压至对应该无法正常导通的目标装置的分流半导体的触发端，使对应该无法正常导通的目标装置的分流半导体导通分流，其中该触发电压系等于至少二个相邻的目标装置的输入端与输出端之间的跨压。

又为达成前述目的所采取的另一主要技术手段系令前述串联装置的分流保护方法由一控制单元执行下列步骤：

透过至少二分流半导体连接至少二串联的目标装置，其中该至少二分流半导体系分别对应该至少二目标装置，并与其对应的目标装置并联连接，又各分流半导体系具有触发电压越高则其跨压越低的特性；

侦测是否有任一目标装置无法正常导通；