[发明专利]绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 201110225680.3 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102254935A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，包括：具有第一半导体类型的半导体衬底；具有第二半导体类型的基区，所述基区位于所述半导体衬底的上方；具有第一半导体类型的阱区，所述阱区位于所述基区内；其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括具有第二导电类型的埋层，所述埋层设置于所述基区内且位于所述阱区的下方。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述第一半导体类型为P型，所述第二半导体类型为N型。
3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括设置于所述半导体衬底和所述基区之间的具有第二半导体类型的缓冲层。
4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极晶体管还包括设置于所述阱区内的具有第二半导体类型的第一掺杂区。
5.根据权利要求1到4中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述埋层的厚度为1～5微米。
6.根据权利要求1到4中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述埋层通过注入磷的方式形成。
7.根据权利要求1到4中任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述埋层的浓度为1*1015/cm3。
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