[发明专利]一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法无效
| 申请号: | 201110223605.3 | 申请日: | 2011-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN102280529A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
| 发明(设计)人: | 宋鑫;潘清涛;胡增鑫;刘佳;贾海军;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 保定天威集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01B13/00;H01B5/14;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23F1/00 |
| 代理公司: | 唐山顺诚专利事务所 13106 | 代理人: | 于文顺 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 高绒度值 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法,属于薄膜太阳电池制造技术领域。
背景技术
氧化锌(ZnO)透明导电薄膜由于其优良的电学和光学性能,特别适合作为前电极应用于薄膜太阳能电池领域。对于薄膜太阳能电池前电极而言,透过率和电阻率是衡量电极性能是否优异的重要指标。在前电极材料透过率一定的前提下,提升前电极材料光散射能力可以有效增大光程,显著提升吸收层对入射光的利用率。同时可以减小薄膜的厚度,降低电池的制造成本。实现薄膜高散射的方法是对ZnO透明导电膜进行绒面处理,在薄膜表面获得绒面结构。绒度(Haze)是绒面的衡量标准,是指入射光的散射透过率(diffuse transmittance)与总透过率(total transmittance)的比值,表征薄膜对于入射光的散射能力。因此,绒度值是表征透明导电膜性能是否优异的重要指标。
以硅薄膜太阳能电池为例,叠层薄膜太阳能电池技术已经成为发展主流。叠层太阳能电池相对于传统单节薄膜电池的最大优势在于不同的吸收层能够对应吸收不同波长的入射光,扩大了光谱吸收的范围。因此,叠层技术要求导电膜层在全光谱范围内都有较高的散射率。背景技术中,ZnO薄膜虽然在550nm处可以得到较高Haze,但长波长段(> 800nm)的散射能力普遍不佳。中国申请专利CN03137254涉及一种绒面氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,公开了使用溅射方法制备绒面ZnO导电薄膜,其绒度在550nm处小于31.6%,800nm处小于10%。中国申请专利CN200910197099涉及一种绒面氧化锌透明导电薄膜制备方法,公开了使用磁控溅射结合湿化学刻蚀法制备绒面透明导电薄膜的方法,结果中未注明所制备的导电薄膜性能。中国申请专利CN201010527670涉及一种绒面氧化锌透明导电薄膜的制备方法,同样使用了溅射加湿化学刻蚀的方法制备绒面ZnO透明导电薄膜,其导电薄膜在380nm-760nm范围内最大绒度值为45%。并将其作为前导电膜层制备叠层硅薄膜太阳能电池,电池的初始转换效率达到12%。
如上所述,背景技术存在的问题是:导电膜层的光散射能力,特别是长波段光散射能力不高,因此有必要进一步改善透明导电层制备工艺以提高叠层薄膜太阳电池的光电转换效率。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有高绒度值的透明导电薄膜及其制备方法,进一步改善透明导电层制备工艺以提高电池的光电转换效率,解决背景技术存在的上述问题。
本发明的技术方案为:
一种内具有高绒度值的透明导电薄膜制备方法,包含如下工艺步骤:
①在气体压强1--5mTorr氩气环境中,衬底温度0--300℃,射频功率100--300W的条件下,在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm--1500nm的ZnO透明导电层;
②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;
③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;
④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。
所说的改变通入反应腔室内的氩气流量,通入氩气流量范围是2--20sccm。
所述的ZnO透明导电层可以是Al掺杂ZnO,也可以是其它元素掺杂ZnO形成的透明导电薄膜层。
所说的将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀,优选浓度为0.1--2wt%的刻蚀液刻蚀;所说的刻蚀液可以是酸性溶液,也可以是碱性溶液。
一种具有高绒度值的透明导电薄膜,采用如下工艺步骤制成的:①在气体压强1--5mTorr氩气环境中,衬底温度0--300℃,射频功率100--300W的条件下,在清洗过后的玻璃衬底上,使用磁控溅射工艺制备一层1000nm--1500nm的ZnO透明导电层;②保持气体压强、衬底温度、射频功率不变,单独改变通入反应腔室内的氩气流量,制备ZnO透明导电膜;③将得到的ZnO透明导电膜进行湿法刻蚀;④刻蚀后ZnO透明导电膜经过去离子水清洗,氮气吹干后,即可得到绒面ZnO透明导电膜。
所说的绒面ZnO透明导电膜,是一种在400-900nm光谱范围内绒度值大于60%,1100nm波长处的绒度值大于28%的氧化锌透明导电薄膜。
所说的绒面ZnO透明导电膜,电阻率小于等于4×10-4 Ω·cm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





