[发明专利]一种带隙电压基准源有效
| 申请号: | 201110222964.7 | 申请日: | 2011-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN102354245A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
| 发明(设计)人: | 周泽坤;王会影;石跃;蔡小祥;鲍小亮;王易;明鑫;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电压 基准 | ||
技术领域
本发明属于电子技术领域,具体涉及一种电压基准源(Voltage Reference)的设计。
背景技术
电压基准源广泛应用于振荡器、锁相环(PLL,Phase Locked Loop)和数据转换器等各种模拟和数模混合集成电路中,其温度系数(TC,Temperature Coefficient)和电源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)很大程度上决定了系统性能的优劣。
传统的基于VBE和热电压VT相互补偿的带隙电压基准源应用较广泛,如图1所示,由于误差放大器的钳位作用,使得VX与VY两点的电压基本相等,即VX=VY=VBE2,同时,两边电路中的电流也相等,则有:
由于则电流为正比于绝对温度(PTAT,Proporational To Absolute Temperature)电流,此电流经过电流镜的镜像以后,便成为整个芯片的偏置电流。
根据电流的表达式,可以得出带隙电压的表达式为:
由于VT为正温度系数,同时VBE2为负温度系数,合理的调节系数的大小,便可以在一定温度下实现基准随温度的变化为零,从而为整个芯片提供了一个随温度变化很小的基准参考电压。
然而由于VBE的非线性,只进行一阶补偿,电压基准源的温度系数较大。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的一阶补偿带隙电压基准源存在的问题,提出了一种带隙电压基准源。
本发明的技术方案是:一种带隙电压基准源包括:包括:偏置电路、启动电路和一阶基准电路,其特征在于,还包括,温度补偿电路和误差放大器电路,其中,所述的偏置电路为所述的带隙电压基准源提供偏置电压,所述的启动电路用于使一阶基准电路正常工作,所述一阶基准电路产生低温度系数的基准电压,所述的温度补偿电路用于对一阶基准电路进行温度补偿,所述误差放大器电路用于稳定一阶基准电路的工作点;
所述一阶基准电路包括第一NPN管、第二NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻;
所述的温度补偿电路包括第三NPN管、第一NMOS管、第五电阻、第六电阻和第七电阻;
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