[发明专利]测试装置及测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及测试装置及测试方法。

背景技术

以往，为了确认MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-E ffect Transistor：金氧半场效晶体管)，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等的半导体器件的安全工作区域，在半导体制造工序中实施雪崩破坏测试。例如，专利文献1公开了雪崩破坏测试用的测试装置。

专利文献1：日本特开2007-33042号公报

在雪崩破坏测试中，将被测试器件与感应器等感应负载连接，在使被测试器件为导通状态的期间，该感应负载积蓄电能。其后，将被测试器件转换为非导通状态，测试将感应负载上积蓄的电能施加于被测试器件时的被测试器件的耐性。

在此，将在被测试器件为非导通状态的期间，因施加了超过被测试器件的额定值的电压而流过被测试器件的电流称为雪崩电流。将雪崩电流流过的时间称为雪崩时间。将在雪崩时间内施加于被测试器件的电压称为雪崩电压。

若在雪崩期间中被测试器件以短路模式发生故障，则过大电流流过被测试器件。若过大电流流过被测试器件，则被测试器件的损伤扩大，有时难以解析被测试器件发生故障的原因。此外，有时由于该过大电流而造成测试装置损伤。因此，为了防止被测试器件及测试装置发生损伤，在被测试器件发生故障时，优选利用开关等迅速切断来自感应负载的电流路径。

但是，若在从感应负载向被测试器件供给过大电流的状态下切断电流路径，则在感应负载产生相反电动势。在由相反电动势产生的电压大于雪崩电压时，有时因相反电动势而造成开关损伤。此外，若假定相反电动势而设置耐受大电压的开关，则成本变高。

发明内容

因此，本说明书所包含的技术革新(新发明)的一个方案的目的在于提供能够解决上述问题的测试装置及测试方法。该目的通过权利要求书记载的特征的组合而达到。即，本发明的第1方案提供一种测试装置，对被测试器件进行测试，包括：感应负载部，其具有感应成分，设置于向被测试器件流过测试电流的路径上；转换部，其转换是否将来自感应负载部的测试电流供给到被测试器件；断路控制部，其根据被测试器件的状态转换转换部并切断路径；电压控制部，其将感应负载部与转换部之间的路径的电压控制为预定的钳位电压以下。

转换部例如设置于感应负载部及被测试器件之间，或被测试器件及接地电位之间，转换是否将流过路径的电流切断。断路控制部例如基于流过被测试器件的电流的大小或被测试器件的预定端子间的电压而转换转换部。断路控制部可以基于在预定的比较定时中的、流向被测试器件的电流或端子间的电压的大小与预定的基准值进行比较的比较结果，转换转换部。

感应负载部例如包括：多个感应负载，和从多个感应负载选择1个以上感应负载的选择部。电压控制部可以根据感应负载部所选择的1个以上感应负载的合成电感值而控制钳位电压。断路控制部例如根据感应负载部所选择的1个以上感应负载的合成电感值，控制转换转换部的转换定时。断路控制部可以根据感应负载部所选择的1个以上感应负载的合成电感值而控制比较定时。断路控制部可以根据感应负载部所选择的1个以上感应负载的合成电感值而控制基准值。

此外，测试装置例如还包括脉冲信号供给部，其向被测试器件供给将被测试器件控制为测试电流流过的导通状态或不流过测试电流的非导通状态的任一状态的脉冲信号。断路控制部可以在自向被测试器件供给脉冲信号起经过了预定时间时，无论被测试器件的状态如何都将转换部转换为截止状态。

电压控制部例如根据向被测试器件供给脉冲信号的时间长度而控制钳位电压。此外，电压控制部例如包括：产生基于钳位电压的基准电压的基准电压产生部；阴极连接于基准电压产生部、阳极连接于感应负载部和转换部之间的二极管。电压控制部可以包括：产生对应于钳位电压的基准电压的基准电压产生部；根据转换部的状态，转换基准电压产生部是否与感应负载部及转换部连接的开关。