[发明专利]含晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉制备技术无效

专利信息
申请号: 201110217175.4 申请日: 2011-08-01
公开(公告)号: CN102381707A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 王平;王子仪;郑峰 申请(专利权)人: 王平;王子仪;郑峰
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 北京市通州区梨*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 晶粒 长大 抑制剂 cr wc 制备 技术
【权利要求书】:

1.一种通过掺入微量元素作为添加剂以抑制晶粒长大,使用APT直接还原碳化并制备超细WC粉末的生产技术和工艺。

2.根据权利要求1所述产品的生产技术及工艺,其特征是:1)使用APT直接还原碳化并制备超细WC粉末的生产技术和工艺;2)添加与调控微量元素的特殊方法;3)碳含量的控制。

3.根据权利要求1所述的含有晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉生产技术和工艺,其相应的生产设备包括:1)反应设备;2)GK-2B高温扩散炉;3)钼丝炉;4)石墨烧舟;5) 烘箱; 6)101型钢铁定碳仪;7)SE-03型表面孔径仪;8)真空包装机。

4.根据权利要求1所述的制备含晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉配方及生产技术和工艺,其特征是:1)本发明生产工艺简单,原材料来源广泛、成本低廉,明显提高超细WC粉生产的经济效益;2)使用本发明的含晶粒长大抑制剂Cr和V的超细WC粉可以生产出优质超细晶粒硬质合金零部件,提高生产厂家的产品质量和经济效益。

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