[发明专利]像素结构有效
| 申请号: | 201110215251.8 | 申请日: | 2011-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN102253551A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 庄咏然;林敬桓;刘竹育 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;张志杰 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素结构,且特别涉及一种可有效驱动蓝相液晶分子的像素结构。
背景技术
随着显示科技的蓬勃发展,消费大众对于显示器显像品质的要求越来越高。消费大众除了对显示器之解析度(resolution)、对比(contrast ratio)、视角(viewing angle)、灰阶反转(grey level inversion)、色饱和度(color saturation)有所要求外,对显示器之反应时间(response time)之要求也日渐提高。
为了因应消费大众之需求,显示器相关业者纷纷投入具有快速应答特性之蓝相(blue phase)液晶显示器的开发。以正型蓝相(blue phase)液晶材料为例,其需要一横向电场来进行操作以使其具有光阀之功能。目前已经有人采用共面转换IPS(In-Plane Switching)显示面板或是边缘电场切换FFS(Fringe Field Switching)显示面板之电极设计来驱动蓝相(blue phase)液晶显示器中的正型蓝相液晶分子。
蓝相液晶分子具有较高的介电系数,因而需要以较大的存储电容来维持显示画面的品质。一般而言,存储电容多以金属导线作为电容下电极,所以增加存储电容势必意味着增加金属导线的配置面积而限制了显示开口率。所以,要如何兼具存储电容以及显示开口率的大小实为当前的一大课题。
发明内容
本发明提供一种像素结构,可具有理想的存储电容以及增强的驱动电场。
本发明提出一种像素结构,配置于一基板上,用以驱动一显示介质。像素结构包括一扫描线、一第一数据线、一第二数据线、一第一有源元件、一第二有源元件、一第一像素电极、一第二像素电极以及一共用电极。第一数据线与第二数据线分别相交于扫描线。第一有源元件电性连接第一数据线。第二有源元件电性连接第二数据线。第一像素电极电性连接于第一有源元件。第二像素电极电性连接于第二有源元件。第一像素电极以及第二像素电极位于第一数据线以及第二数据线之间。共用电极配置于第一像素电极与基板之间且配置于第二像素电极与基板之间。第一像素电极的一第一电压以及第二像素电极的一第二电压皆不等于共用电极的一第三电压。
基于上述,本发明利用交错配置的第一像素电极与第二像素电极来构成驱动显示介质所需的驱动电场。因此,驱动电场的大小可以是驱动晶片能够承受之最大压差,而有助于增强驱动电场的大小。另外,本发明在第一像素电极与第二像素电极下方利用透明导电材料形成共用电极以使存储电容增大而有助于维持像素结构的显示品质。
为让本发明之上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出为本发明第一实施例的像素结构的上视示意图。
图2A至图2F为本发明第二实施例的的像素结构的制作流程。
图3示出为图2F的像素结构沿剖线A-A’的剖面结构。
图4A至图4F为本发明第三实施例的的像素结构的制作流程。
图5示出为图4F的像素结构沿剖线B-B’的一种剖面结构。
图6A至图6F为本发明第四实施例的的像素结构的制作流程。
图7示出为图6F的像素结构沿剖线C-C’的一种剖面结构。
其中,附图标记说明如下:
10:基板
100、100A~100D:像素结构
110:扫描线
120:第一数据线
130:第二数据线
140:第一有源元件
150:第二有源元件
160:第一像素电极
162:第一条状部
164:第一纵向连接部
166A、166B:第一横向连接部
170:第二像素电极
172:第二条状部
174:第二纵向连接部
176:第二横向连接部
180:共用电极
190:共用线
A-A’、B-B’、C-C’:剖线
C1、C2:沟道层
D1、D2:漏极
G1、G2:栅极
I、II:配向区域
I1、I2、I3:绝缘层
S1、S2:源极
TH1~TH5:接触窗
具体实施方式
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