[发明专利]一种触摸传感器的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于触摸领域，尤其涉及一种触摸传感器的制作方法。

背景技术

在现有触摸屏的结构中，触摸传感器（TP Sensor）的制作一般是白光制程采用丝印工艺，具体地：先在具有铟锡氧化物（ITO）的膜上丝印耐酸油墨，将需要的ITO部分用耐酸油墨保护起来，然后通过酸性的溶液将不需要的ITO蚀刻掉，接着通过碱性溶液脱去耐酸油墨，最后在TP Sensor的周边缘丝印银浆走线，从而与蚀刻后的ITO部分进行电连接；其中，所述丝印银浆走线的线宽一般在100微米左右。

但是，现有触摸屏的结构已趋向于全屏，TP Sensor的结构也趋向于窄边设计，从而留给银浆走线的边框越来越少，所以银浆走线的线宽也越来越小，如果银浆走线的线宽小于50微米，想要通过丝印的方式来完成银浆走线的制作已无法实现。因此，白光制程的丝印工艺已跟不上时代的步伐，亟需一种新的制作工艺来满足窄边走线的形成。

发明内容

本发明的目的是提供一种触摸传感器的制作方法，实现了TP Sensor窄边的设计要求，可以在TP Sensor的窄边制作线宽较小的走线，降低制作难度，节省了成本。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种触摸传感器的制作方法，所述方法包括以下步骤：

S11、在ITO-Cu膜上形成一层耐酸油墨，该耐酸油墨覆盖预留的传感器Cu线区；

S12、将形成有耐酸油墨的ITO-Cu膜通过氯化铁溶液，蚀刻掉未被耐酸油墨覆盖的Cu区；

S13、通过碱性溶液将耐酸油墨脱膜处理，并清洗；

S14、在经过步骤S13处理后的ITO-Cu膜上形成一层保护胶，该保护胶覆盖触摸传感器的可视区；

S15、采用激光干刻仪蚀刻传感器Cu线区中多余的Cu、以及该多余的Cu所覆盖的ITO，以形成Cu膜走线；

S16、去除所述保护胶，采用激光干刻仪蚀刻传感器可视区内的ITO，以形成ITO图案走线。

本发明提供的触摸传感器的制作方法，先在ITO-Cu膜上将除预留的传感器Cu线区蚀刻掉，然后在传感器的可视区形成保护胶，接着采用激光干刻仪刻蚀Cu线区和ITO图案区，以形成Cu膜走线和ITO图案走线。本发明提供的制作方法中，采用激光干刻法制作Cu膜走线和ITO图案走线，实现了TP Sensor窄边的设计要求，可以在TP Sensor的窄边制作线宽较小（小于50微米）的走线，降低制作难度，节省了成本。

附图说明

图1是本发明实施例提供的触摸传感器制作方法的流程示意图。

图2是本发明实施例提供的上线触摸传感器的走线结构示意图。

图3是本发明实施例提供的下线触摸传感器的走线结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参考图1所示，一种触摸传感器的制作方法，所述方法包括以下步骤：

S11、在ITO-Cu膜上形成一层耐酸油墨，该耐酸油墨覆盖预留的传感器Cu线区；

S12、将形成有耐酸油墨的ITO-Cu膜通过氯化铁溶液，蚀刻掉未被耐酸油墨覆盖的Cu区；

S13、通过碱性溶液将耐酸油墨脱膜处理，并清洗；

S14、在经过步骤S13处理后的ITO-Cu膜上形成一层保护胶，该保护胶覆盖触摸传感器的可视区；

S15、采用激光干刻仪蚀刻传感器Cu线区中多余的Cu、以及该多余的Cu所覆盖的ITO，以形成Cu膜走线；

S16、去除所述保护胶，采用激光干刻仪蚀刻传感器可视区内的ITO，以形成ITO图案走线。

本发明提供的触摸传感器的制作方法，先在ITO-Cu膜上将除预留的传感器Cu线区蚀刻掉，然后在传感器的可视区形成保护胶，接着采用激光干刻仪刻蚀Cu线区和ITO图案区，以形成Cu膜走线和ITO图案走线。本发明提供的制作方法中，采用激光干刻法制作Cu膜走线和ITO图案走线，实现了TP Sensor窄边的设计要求，可以在TP Sensor的窄边制作线宽较小（小于50微米）的走线，降低制作难度，节省了成本。