[发明专利]功率装置的耐压终止结构有效
| 申请号： | 201110209154.8 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102751327A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;詹景晴;石逸群 | 申请（专利权）人： | 茂达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 装置 耐压 终止 结构 | ||
1.一种功率装置的耐压终端结构，其特征在于包含有：
一第一导电型基底；
一第一导电型外延层，设置于所述的第一导电型基底上；
一沟槽，位于所述的第一导电型外延层中；
一第一绝缘层，位于所述的沟槽中；
一第一导电层，位于所述的沟槽中，且叠置于所述的第一绝缘层上；以及
一第二导电型基体掺杂区，位于所述的沟槽旁的所述的第一导电型外延层中，而且与所述的第一导电层直接接触。
2.根据权利要求1所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，所述的第一导电层包含多晶硅、钛、氮化钛或铝。
3.根据权利要求1所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，所述的第一导电层与所述的第一绝缘层直接接触，而且所述的第一导电层的表面与所述的第一导电型外延层的表面切齐。
4.根据权利要求1所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，还包含有一场氧化层，覆盖住所述的第一导电层和所述的第二导电型基体掺杂区。
5.根据权利要求4所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，还包含有第二导电层，置于所述的场氧化层上。
6.根据权利要求5所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，还包含有第二绝缘层，覆盖住所述的场氧化层和所述的第二导电层。
7.根据权利要求6所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，还包 含有栅极导线，位于所述的第二绝缘层上，和第一接触插塞，置于所述的第二绝缘层中，电连接所述的第二导电层与所述的栅极导线。
8.根据权利要求1所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，所述的第一绝缘层与所述的第一导电型基底直接接触。
9.根据权利要求8所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，所述的第二导电型基体掺杂区与所述的第一导电型基底互相连接。
10.根据权利要求1所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，所述的第一导电型为N型，所述的第二导电型为P型。
11.根据权利要求7所述的功率装置的耐压终端结构，其特征在于，还包含有第二导电型离子井，设置于所述的第一导电型外延层中。
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