[发明专利]阵列基板及其制作方法、液晶面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置。

背景技术

现有的显示装置越来越趋于多样化，常见的就有液晶显示器、电子书阅读器、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器等。

以液晶显示器为例，液晶显示器的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)结构中的栅极和源/漏极作为阵列基板中的金属电极，需要具有较低的电阻、与基板和其他膜层(比如非晶硅、掺杂非晶硅层)有较好的粘附性、不会在a-Si(非晶硅)层产生离子扩散、与像素电极层的接触电阻值低、易于刻蚀、在CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)成膜过程中没有hillock(小丘)产生、不易氧化等良好的特性。

在TFT-LCD(液晶显示器)产业化初期，金属电极配线使用的主要材料是高熔点的金属，如铬Cr、钼Mo、钽Ta等。

随着液晶面板尺寸的增大，要求降低金属电极的电阻，此时金属铝Al被广泛使用，但是由于在工艺过程中容易发生hillock现象以及Al离子容易扩散至a-Si层中，所以改用铝合金金属来代替纯铝，比如Al-Nd(铝钕合金)、Al-Ce(铝铈合金)、Al-Nd-Mo(铝钕钼)等。

随着液晶显示产品的更大面积化及高速驱动和高精细(4k*2k)的要求，电阻率更低的金属铜Cu更多地被使用作为TFT结构中的金属电极。

在实现上述液晶显示器的TFT结构的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：1)Cu与基板之间的粘结性很低，因此容易剥离；2)Cu与a-Si或N+a-Si薄膜层接触时容易出现Cu离子扩散至Si系列薄膜，进而影响TFT结构的导通性能。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置，用以有效防止TFT结构中金属电极层的金属离子扩散至硅系列薄膜层以及增加金属电极层与基板之间的附着力。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的栅金属层、有源层和源/漏金属层；其中，在所述栅金属层的至少一侧形成有隔离缓冲层，和/或，在所述源/漏金属层的至少一侧形成有隔离缓冲层；

而且，所述隔离缓冲层由氧化钼制成。

一种制作上述阵列基板的方法，包括：

步骤A、在栅金属层的至少一侧形成与该栅金属层具有相同图案的隔离缓冲层；和/或，

步骤B、在源/漏金属层的至少一侧形成与所述源/漏金属层具有相同图案的隔离缓冲层；

其中，所述隔离缓冲层由氧化钼制成。

一种液晶面板，包括相对设置的彩膜基板和阵列基板；其中，所述阵列基板采用上述的阵列基板。

一种显示装置，该显示装置采用上述的阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、液晶面板及显示装置，利用氧化钼作为隔离缓冲层的制作材料，提供了一种新的隔离缓冲层实现方式；而且，包含有氧化钼的隔离缓冲层不只可以使有效防止TFT结构中金属电极层的金属离子扩散至硅系列薄膜层，而且可以增加金属电极层与基板之间的附着力。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一中的阵列基板的结构示意图；

图2A～图2D为图1中所示阵列基板的制作过程示意图；

图3为本发明实施例二中的阵列基板的结构示意图；

图4为本发明实施例三中的阵列基板的结构示意图；

图5为本发明实施例四中的阵列基板的结构示意图；

图6为本发明实施例五中的阵列基板的结构示意图；

图7为本发明实施例六中的阵列基板的结构示意图；

图8为本发明实施例七中的阵列基板的结构示意图；

图9为本发明实施例八中的阵列基板的结构示意图；

附图标记：1-基板；2-栅金属层；21-第一隔离缓冲层；22-第三隔离缓冲层；3-栅绝缘层；4-半导体层；5-欧姆接触层；6-源/漏金属层；61-第二隔离缓冲层；62-第四隔离缓冲层；7-钝化层；8-像素电极；9-有源层。

具体实施方式