[发明专利]喹喔啉衍生物以及使用它的有机半导体元件、电致发光元件以及电子仪器有效
| 申请号： | 201110203373.5 | 申请日： | 2004-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102386330A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 下垣智子;德田笃史;安部宽子;野村亮二;濑尾哲史 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/30 | 分类号： | H01L51/30;H01L51/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 吴娟;刘健 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 喹喔啉 衍生物 以及 使用 有机半导体 元件 电致发光 电子仪器 | ||
1.晶体管，其包含：
夹持在源电极和漏电极之间的由喹喔啉衍生物构成的薄膜状的活性层，以及
埋入所述活性层中的门电极。
2.权利要求1的晶体管，
其中，在不施加门电压的状态下在所述源电极和漏电极之间施加电压时，所述晶体管为ON状态；并且
其中，在施加门电压时，所述晶体管为OFF状态。
3.权利要求1的晶体管，其中，所述门电极连接至用于施加门电压的装置。
4.权利要求1的晶体管，其中，所述源电极和漏电极连接至用于控制所述源电极和漏电极之间的电压的装置。
5.权利要求1的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物具有双极性，并且在成膜时难以含有微晶成分。
6.权利要求1的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物由通式(2)表示：
式中，X、Y各自独立地表示通式(3)～(5)中的任意一个；R1～R38独立地表示氢原子；Z表示氧、硫或者羰基。
7.晶体管，其包含：
夹持在源电极和漏电极之间的由喹喔啉衍生物构成的薄膜状的活性层，以及
埋入所述活性层中的门电极；
其中，所述喹喔啉衍生物具有发光性。
8.权利要求7的晶体管，
其中，在不施加门电压的状态下在所述源电极和漏电极之间施加电压时，所述晶体管为ON状态；并且
其中，在施加门电压时，所述晶体管为OFF状态。
9.权利要求7的晶体管，其中，所述门电极连接至用于施加门电压的装置。
10.权利要求7的晶体管，其中，所述源电极和漏电极连接至用于控制所述源电极和漏电极之间的电压的装置。
11.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物具有双极性，并且在成膜时难以含有微晶成分。
12.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物显示蓝-蓝绿色的发光。
13.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物由通式(2)表示：
式中，X、Y各自独立地表示通式(3)～(5)中的任意一个；R1～R38独立地表示氢原子；Z表示氧、硫或者羰基。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
