[发明专利]一种非图案化表面缺陷的离线检测方法有效
| 申请号： | 201110202592.1 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102890094A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 图案 表面 缺陷 离线 检测 方法 | ||
1.一种非图案化表面缺陷的离线检测方法，提供具有衬底或者在所述衬底上具有非图案化薄膜或介质层的晶片，该方法包括：
所述衬底表面或者所述非图案化薄膜或介质层表面形成薄膜层，作为半导体样品，所述薄膜层对所述非图案化表面缺陷离线检测中入射光的折射率高于真空；
用光学检测法检测所述半导体样品中所述衬底或者非图案化薄膜或介质层的表面缺陷。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层对所述入射光的折射率大于等于1.5。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层对所述入射光的吸收系数小于等于0.01。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的厚度范围是50埃到5000埃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层的本征缺陷个数小于等于100个。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜层是硅化物或者有机物。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅化物用化学气相沉积、高温化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积；所述有机物涂覆在所述衬底或者非图案化薄膜或介质层表面。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，该方法还包括：在所述化学气相沉积、高温化学气相沉积或者等离子体增强化学气相沉积硅化物之后湿法清洗所述硅化物的表面；或者在所述涂覆有机物之后烘焙所述有机物。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅化物是二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述有机物是光刻胶或者底部抗反射层。
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