[发明专利]超高Q值TE01模介质加载空腔

说明书

技术领域

本发明涉及一种滤波器。具体说，是滤波器的TE01模介质加载空腔。 

背景技术

在滤波器制造行业都知道，由于TE01模介质加载空腔具有较高的Q值和较小的体积，已被广泛应用于人造卫星、无线基站和点对点通信领域。传统TE01模介质加载空腔是以优化谐振器的Q值为主，但也要保证谐振器的高次模远离滤波器的通带，以避免高次模对滤波器通带的干扰。其中，谐振器的高次模的频率通常要比TE01模介质加载空腔的频率要高，而传统加载空腔的Q值约为谐振器Q值的50％～75％。对于高功率、窄频带的滤波器而言，滤波器的插入损失是热损耗和可靠性的关键，因此，加载空腔的Q值在低插入损失的滤波器中是最重要的参数。从理论上讲，虽然可通过增大加载空腔的体积来增大其Q值，但增大加载空腔的体积常会使高次模靠近TE01模，对滤波器的通带造成干扰。为提高TE01模介质加载空腔的Q值，就需要克服高次模对滤波器通带的干扰问题。 

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种超高Q值TE01模介质加载空腔。采用这种超高Q值TE01模介质加载空腔，可避免高次模对滤波器通带的干扰。 

为解决上述问题，采取以下技术方案： 

本发明的超高Q值TE01模介质加载空腔包括金属腔体，该金属腔体为TE01模腔，其内设置有介质谐振器。所述介质谐振器悬置于金属腔体中央。 

本发明的进一步改进方案是，介质谐振器与金属腔体底部间设置有支撑介质。其中，所述支撑介质可以为实心圆柱体，也可以为空心圆柱体。 

本发明的更进一步改进方案是空心圆柱体与金属腔体底部间有金属底座。 

采取上述方案，具有以下优点： 

由于金属腔体内有介质谐振器，经计算，高次模的频率远高于TE01模，使高次模远离滤波器的通带，避免了高次模对滤波器通带的干扰。 

又由于介质谐振器与金属腔体底部间有支撑介质，在确保高次模远离滤波器的通带的情况下，还大大提高了TE01模介质加载空腔的Q值。 

附图说明

图1是本发明的超高Q值TE01模介质加载空腔结构示意图； 

图2是另一种形式的超高Q值TE01模介质加载空腔示意图，其中，介质谐振器与金属腔体底部间设置有支撑介质。 

图3是另一种形式的超高Q值TE01模介质加载空腔示意图，其中，所述支撑介质为实心圆柱体。 

图4是另一种形式的超高Q值TE01模介质加载空腔示意图，其中，所述支撑介质为空心圆柱体。 

图5是又一种形式的超高Q值TE01模介质加载空腔示意图，其中，空心圆柱体与金属腔体底部间设置有金属底座。 

具体实施方式

如图1所示，本发明的一种超高Q值TE01模介质加载空腔，包括金属腔体1，该金属腔体为TE01模腔，其长度、宽度和高度分别为50mm、50mm和37mm，其内设置有介质谐振器2。所述介质谐振器2悬置于金属腔体1的中央。 

如图2所示，本发明的又一种超高Q值TE01模介质加载空腔，包括金属腔体1，该金属腔体为TE01模腔，其长度、宽度和高度分别为50mm、50mm和37mm，其内设置有介质谐振器2。所述介质谐振器2悬置于金属腔体1的中央，介质谐振器2与金属腔体1底部间设置有支撑介质3。所述支撑介质3是用氧化铝(Al₂O₃)制成的空心圆柱体。 

见图3，本发明的另一种超高Q值TE01模介质加载空腔，包括金属腔体1，该金属腔体为TE01模腔，其长度、宽度和高度分别为74mm、74mm和55mm，其内设置有介质谐振器2。所述介质谐振器2处于金属腔体1中央，介质谐振器2与金属腔体1底部间设置有支撑介质3。所述支撑介质3是用氧化铝(Al₂O₃)制成的实心圆柱体。 

见图4，本发明的另一种超高Q值TE01模介质加载空腔，包括金属腔体1，该金属腔体为TE01模腔，其长度、宽度和高度分别为74mm、74mm和55mm，其内设置有介质谐振器2。所述介质谐振器2处于金属腔体1的中央，介质谐振器2与金属腔体1底部间设置有支撑介质3。所述支撑介质3是用氧化铝(Al₂O₃)制成的空心圆柱体。