[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201110198350.X | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102456632A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 鹿口直斗;浅野德久;佐藤克己 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
发射极电极，设置在半导体层上并且具有硅化物膜而构成；
绝缘膜，形成在所述发射极电极的所述硅化物膜上；
电极焊盘，形成在所述绝缘膜上并且由铝构成。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述电极焊盘被用作栅极焊盘、电流感应电极焊盘、温度感应电极焊盘中的任意一种。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述电极焊盘被用作栅极焊盘，并且，具有多个所述电极焊盘。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述硅化物膜由强度比铝高的硅化物膜构成。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述硅化物膜由自对准硅化物膜形成。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述发射极电极具有：被分割的多个所述硅化物膜；共同连接在所述多个硅化物膜上而形成的发射极共同电极。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
还具有在所述半导体层上形成的多个栅极电极，
所述电极焊盘被用作栅极焊盘，
还具有将所述栅极焊盘和所述多个栅极电极电连接的栅极布线，
所述栅极布线以具有硅化物膜的方式形成。
8.如权利要求1～7的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体层是Si、SiC、GaN中的任意一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110198350.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
