[发明专利]一种生长薄板硅晶体的方法

权利要求书

1.一种生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，包括：将由硅原料熔化所形成的硅熔液流入到液态衬底的上面，所述的硅熔液浮于所述的液态衬底之上，形成硅熔液薄层；再通过温度场控制，使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的水平方向形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。

2.如权利要求1所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，所述的衬底采用熔点低于硅、密度大于硅、且在1000～2000℃下与硅不反应且不互溶的物质。

3.如权利要求2所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，所述的衬底采用的物质为锗、锡、铅、钡、CaF₂、CaC1₂、BaF₂、BaCl₂中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，所述的温度场控制，是通过改变加热和保温方式使热场的温度在水平方向上从高到低分布，依次形成1550～1450度的高温区、1450～1380度的高梯度区、1380度以下的低温区。

5.如权利要求1所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，所述的温度场控制，还包括使得在所述的硅熔液薄层和液态衬底的垂直方向也形成温度梯度，最终所述的硅熔液薄层结晶生成薄板硅晶体。

6.如权利要求1所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，所述的液态衬底被隔热物质沿水平方向分隔为两个或两个以上衬底物质池。

7.如权利要求1～6任一所述的生长薄板硅晶体的方法，其特征在于，采用单/多晶硅片作为籽晶与硅熔液接触引导，并在水平方向拉动籽晶进行连续生产，所述的籽晶的拉动速度与硅的结晶速度相匹配。