[发明专利]用射频磁控溅射法在金属托槽表面附着掺氮TiO2-xNx薄膜的方法无效
| 申请号: | 201110192472.8 | 申请日: | 2011-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN102864425A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
| 发明(设计)人: | 曹宝成;王育华;李娜;张颖杰;张旭 | 申请(专利权)人: | 曹宝成 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/40;C23C14/06 |
| 代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人: | 马正良 |
| 地址: | 730000 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频 磁控溅射 金属 表面 附着 tio sub 薄膜 方法 | ||
1.一种用射频磁控溅射法在金属托槽表面附着掺氮TiO2-xNx薄膜的方,其步骤包括:
(1)衬底的预处理
①真空室的预清洁
首先,在薄膜溅射之前要对真空室进行检查,清除其中腔壁和衬底盘上的附着物,然后用酒精棉纱仔细擦拭,直到棉纱基本为白色时为止,然后烘烤,抽掉其中的残留酒精;
②.衬底的处理
将托槽浸泡在用40g/L NaOH、25g/L NaCO3、50g/L Na3PO4·12H2O和7.5g/LNa2SO3配制而成的混合液恒温在90℃清洗25min,观察表面无水珠,然后把托槽放入盛有99.5%丙酮溶液的烧杯,超声清洗20min,取出后烘干样品并用高压氮气枪吹掉衬底表面的灰尘,然后放入真空室中;
③.托槽的反溅射
将洗净的托槽放入真空室,抽真空达到3.0×10-4Pa时,通入Ar气,调节插板阀至真空室气压达到2Pa,然后开启接在衬底盘上的电离电源,对衬底进行反溅射20min以去除衬底表面的氧化层和残留的一些污物,反溅射功率为30W;
(2)掺氮TiO2-xNx薄膜金属托槽的制备
在对托槽进行完清洁操作后,将高纯TiO2陶瓷靶(纯度为99.99%)安装于JZCK-580高真空多功能磁控溅射机,接通射频溅射电源,TiO2靶的尺寸为75mm*5mm,用靶挡板挡住靶,进行20min预溅射,功率为100W,去除TiO2靶表面的杂质层;TiO2靶预溅射完成之后,移开靶挡板,将托槽移到靶下面开始TiO2薄膜的溅射;衬底真空度为1.0×10-3Pa,工作气压1.0Pa,通入氩气和氮气两种气体,氩气和氮气质量流量比为30∶1,射频溅射功率300W,衬底温度300℃,在金属托槽表面溅射4小时;将制得TiO2-xNx薄膜置于高温箱式电阻炉内在氮气气氛中进行退火处理,时间保持2小时,退火温度控制在450℃,退火后,得掺氮TiO2-xNx薄膜金属托槽。
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