[发明专利]压阻压力传感器有效

申请号：	201110190682.3	申请日：	2011-07-08
公开（公告）号：	CN102374918A	公开（公告）日：	2012-03-14
发明（设计）人：	T.福克斯	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	G01L9/06	分类号：	G01L9/06;B81C1/00
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	李少丹;李家麟
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	压力传感器
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【权利要求书】：

1. 压阻压力传感器，包括硅衬底（1），在该硅衬底（1）上布置有构造膜片（8）的碳化硅层（7），其中还在硅衬底（1）的与碳化硅层（7）相对的那侧上布置有电绝缘层（3），在电绝缘层（3）的与膜片（8）相对的那侧上布置有压电电阻（4）和具有金属接触部（9）的印制导线（5）以用于以压阻方式检测膜片（8）的压力引起的变形。

2. 根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，碳化硅层（7）具有1μm至20μm的厚度。

3. 根据权利要求1或2所述的压力传感器，其特征在于，碳化硅层（7）由多晶碳化硅构造。

4. 根据权利要求1至3之一所述的压力传感器，其特征在于，压电电阻（4）和印制导线（5）由p+掺杂的硅构造。

5. 根据权利要求1至4之一所述的压力传感器，其特征在于，电绝缘层（3）由二氧化硅构造。

6. 用于制造压阻压力传感器的方法，包括步骤：

- 使用硅衬底（1），该硅衬底通过电绝缘层（3）与硅膜（2）分离；

- 对该硅膜（2）进行结构化以生成压电电阻（4）和印制导线（5）；

- 部分地去除硅衬底（1）直至该电绝缘层（3）以生成膜片几何结构；

- 在膜片几何结构上沉积碳化硅层（7）；

- 在印制导线（5）上布置金属接触部（9）。

7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该硅膜（2）的结构化通过反应离子蚀刻来进行。

8. 根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，去除硅衬底（1）通过KOH蚀刻来进行。